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半导体表面增强拉曼散射的金刚石基底及其制备方法
| 专利名称： | 半导体表面增强拉曼散射的金刚石基底及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明的半导体表面增强拉曼散射的金刚石基底及其制备方法，属于拉曼散射信号增强的技术领域。金刚石基底的结构在硅片或金刚石的衬底表面生长有掺杂硼、氮、硫、磷、硫氮或磷氮等的金刚石膜。采用化学气相沉积方法在衬底上沉积掺杂金刚石膜；制得的掺杂金刚石膜还可以进行表面功能化处理，获得表面氢终止或氧终止的掺杂金刚石膜，以提高增强因子。本发明首次以金刚石材料作为一种新的半导体SERS基底，具有高灵敏度、稳定性、可重复性、以及具有良好生物兼容性；增强因子可达到102‑105，并可用于多种不同的探针分子检测。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 吉林;22 |
| 申请人： | 吉林大学 |
| 发明人： | 李红东;高莹;王启亮;高楠;刘钧松;成绍恒 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201810875520.5 |
| 公开号： | CN109142313A |
| 代理机构： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 |
| 代理人： | 王恩远 |
| 分类号： | G01N21/65(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 130012 吉林省长春市前进大街2699号 |
| 主权项： | 1.一种半导体表面增强拉曼散射的金刚石基底，其特征在于，在硅片衬底、钛片衬底或金刚石衬底表面生长有掺杂金刚石膜；所述的掺杂，是在金刚石膜内掺杂硼、氮、硫、磷、硫‑氮或磷‑氮元素。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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