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一种基于光载流子辐射的半导体材料特性测量方法
| 专利名称： | 一种基于光载流子辐射的半导体材料特性测量方法 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于光载流子辐射的半导体材料特性测量方法。解决现有半导体材料特性测量技术不足的问题。本发明的方法为1）函数信号发生器产生周期信号直接调制泵浦激光光源的驱动电压，将强度周期调制的激光经光束整形后均匀照射到样品表面，近红外相机探测并处理记录此时的光载流子辐射信号，得到锁相载流子辐射成像结果；2）将光束整形装置替换为光束聚焦装置，经调节后将光束聚焦到样品表面被测位置，样品产生光载流子辐射信号，经近红外相机探测并由计算机处理和记录此时的光载流子辐射信号，得到空间分辨光载流子辐射成像结果，通过对数据进行处理计算得到待测样品的特性参数；3）重复步骤2）得到待测样品不同指定位置处的特性参数。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 陕西;61 |
| 申请人： | 西安工业大学 |
| 发明人： | 王谦;刘卫国 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201810986640.2 |
| 公开号： | CN109142287A |
| 代理机构： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 |
| 代理人： | 黄秦芳 |
| 分类号： | G01N21/63(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 710032 陕西省西安市未央区学府中路2号 |
| 主权项： | 1.一种基于光载流子辐射的半导体材料特性测量方法，依次包括下述步骤：步骤1）：函数信号发生器产生周期信号直接调制泵浦激光光源的驱动电压，将强度周期调制的激光经光束整形后均匀照射到样品表面，近红外相机探测并由计算机处理和记录此时的光载流子辐射信号，得到锁相载流子辐射成像结果；步骤2）：将光束整形装置替换为光束聚焦装置，经调节后将光束聚焦到样品表面指定被测位置，样品产生光载流子辐射信号，经近红外相机探测并由计算机处理和记录此时的光载流子辐射信号，得到空间分辨光载流子辐射成像结果，通过对数据进行处理计算得到待测样品的特性参数；步骤3）：重复步骤2）得到待测样品不同指定位置处的特性参数。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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