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一种基于Fano共振效应的双阱间隧穿特性测量方法
| 专利名称： | 一种基于Fano共振效应的双阱间隧穿特性测量方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于Fano共振效应的双阱间隧穿测量方法,具体步骤为：S1：调节外置偏压源，使双量子阱结构达到共振隧穿，在探测光的激发下，通过光电检测器探测吸收谱的双峰的间距，粗略确定隧穿特性的大小；S2：再次调节外置偏压源，找到双量子阱结构合适的隧穿失谐，再次通过光电检测器探测吸收谱的非对称性， |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 山东;37 |
| 申请人： | 山东科技大学 |
| 发明人： | 彭延东;李晨;汪金陵;杨艾红;张仲建;赵树材;周文鹏 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811001217.9 |
| 公开号： | CN109164071A |
| 代理机构： | 济南领升专利代理事务所(普通合伙) 37246 |
| 代理人： | 王吉勇;崔苗苗 |
| 分类号： | G01N21/63(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 266590 山东省青岛市经济技术开发区前湾港路579号 |
| 主权项： | 1.一种基于Fano共振效应的双阱间隧穿特性测量方法,其特征在于，具体步骤为：S1：调节外置偏压源，使双量子阱结构达到共振隧穿，在探测光的激发下，通过光电检测器探测吸收谱的双峰的间距，粗略确定隧穿特性的大小；S2：再次调节外置偏压源，找到双量子阱结构合适的隧穿失谐，再次通过光电检测器探测吸收谱的非对称性， |
| 所属类别： | 发明专利 |
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