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原文传递 大口径双折射晶体的体内缺陷探测装置和探测方法
专利名称: 大口径双折射晶体的体内缺陷探测装置和探测方法
摘要: 一种大口径双折射晶体的体内缺陷探测装置和探测方法,所述装置部分包括532nm探测光激光器、第一块反射镜与镜架、1m焦距柱面镜、第二块反射镜与镜架、侧面电机一维移动平台、CCD镜头组、采样CCD、正面电机一维移动平台、机床水平基座、大口径双折射晶体、以及光学平台;所述控制部分包括主控电脑以及控制柜。本发明是针对大口径双折射晶体体内缺陷的一种方便快捷的探测装置,可保证大口径双折射晶体全口径、多深度的体内缺陷的探测,避免了双折射造成的体内缺陷成像重影问题,确保了晶体体内缺陷探测的精准性。该发明使大口径双折射晶体的体内缺陷探测具有方便,快捷,精准和自动化的特点。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 上海;31
申请人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
发明人: 赵元安;杨留江;胡国行;邵建达;柯立公;刘晓凤;李大伟
专利状态: 有效
申请号: CN201810934870.4
公开号: CN109187575A
代理机构: 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317
代理人: 张宁展
分类号: G01N21/95(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21
申请人地址: 201800 上海市嘉定区清河路390号
主权项: 1.一种大口径双折射晶体的体内缺陷探测装置,包括正面电机一维移动平台(6)、采样CCD(7)、CCD镜头组(8)、机床水平基座(9)、主控电脑(11)、控制柜(12)、探测激光器,其特征在于还包括第一反射镜与镜架(2)、1m焦距柱面镜(3)、第二反射镜与镜架(5)和侧面电机一维移动平台(4),所述的探测激光器为532nm激光器(1),所述的机床水平基座(9)供所述的大口径双折射晶体(10)放置,在所述的机床水平基座(9)的正面设置所述的光学平台(13),在所述的光学平台(13)上正对所述的大口径双折射晶体(10)的正面设置正面电机一维移动平台(6),在所述的大口径双折射晶体(10)的侧面设置侧面电机一维移动平台(4),在所述的正面电机一维移动平台(6)上设置所述的CCD镜头组(8)和采样CCD(7),所述的CCD镜头组(8)与所述的采样CCD(7)组合成一整体并正对所述的大口径双折射晶体(10)的正面,在所述的侧面电机一维移动平台(4)上设置第二反射镜与镜架(5),在所述的光学平台(13)上设置所述的532nm激光器(1)、第一块反射镜与镜架(2)、1m焦距柱面镜(3),沿所述的532nm激光器(1)的激光输出方向依次是所述的第一反射镜、1m焦距柱面镜(3)、第二反射镜和所述的大口径双折射晶体(10)的侧面,所述的采样CCD(7)的输出端与所述的主控电脑(11)的输入端相连,所述的正面电机一维移动平台(6)与所述的侧面电机一维移动平台(4)的控制端与所述的控制柜(12)的输出端相连,所述的主控电脑(11)的输出端与所述的控制柜(12)的控制端相连,所述的主控电脑(11)与所述机床水平基座(9)的控制端相连。
所属类别: 发明专利
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