专利名称: |
一种平面半导体气体传感器芯片及其制备方法 |
摘要: |
本发明涉及气敏元件的制备,更涉及一种平面半导体气体传感器芯片及其制备方法。所述方法是将介孔Pd‑SnO2复合材料悬浊液滴加到叉指电极上,进行煅烧,再经冷却后即得。本发明提供的半导体气体传感器电阻下降至1M以下,气敏响应上升至90%以上;同一批次样品同一煅烧温度下气敏元件电阻相差不大,满足后续仪器仪表要求的一致性,节约时间、成本等;所述气体传感器芯片对H2有较好的稳定性;增强了芯片表面材料的稳固性,使其在后续仪器仪表组装、封装过程中气敏材料不容易掉落;所述气体传感器芯片真空无氧煅烧后电极钝化,使其不受外界环境影响。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
北京;11 |
申请人: |
北京镭硼科技有限责任公司 |
发明人: |
周姣;田陆 |
专利状态: |
有效 |
申请号: |
CN201811132306.7 |
公开号: |
CN109270127A |
代理机构: |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人: |
王文君;陈征 |
分类号: |
G01N27/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
申请人地址: |
100088 北京市海淀区北四环西路9号4层3A15 |
主权项: |
1.一种气体传感器芯片的制备方法,其特征在于,将介孔Pd‑SnO2复合材料悬浊液滴加到叉指电极上,进行煅烧,再经冷却后即得。 |
所属类别: |
发明专利 |