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一种平面半导体气体传感器芯片及其制备方法
| 专利名称： | 一种平面半导体气体传感器芯片及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明涉及气敏元件的制备，更涉及一种平面半导体气体传感器芯片及其制备方法。所述方法是将介孔Pd‑SnO2复合材料悬浊液滴加到叉指电极上，进行煅烧，再经冷却后即得。本发明提供的半导体气体传感器电阻下降至1M以下，气敏响应上升至90％以上；同一批次样品同一煅烧温度下气敏元件电阻相差不大，满足后续仪器仪表要求的一致性，节约时间、成本等；所述气体传感器芯片对H2有较好的稳定性；增强了芯片表面材料的稳固性，使其在后续仪器仪表组装、封装过程中气敏材料不容易掉落；所述气体传感器芯片真空无氧煅烧后电极钝化，使其不受外界环境影响。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 北京镭硼科技有限责任公司 |
| 发明人： | 周姣;田陆 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811132306.7 |
| 公开号： | CN109270127A |
| 代理机构： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
| 代理人： | 王文君;陈征 |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 100088 北京市海淀区北四环西路9号4层3A15 |
| 主权项： | 1.一种气体传感器芯片的制备方法，其特征在于，将介孔Pd‑SnO2复合材料悬浊液滴加到叉指电极上，进行煅烧，再经冷却后即得。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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