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一种基于导电二硫化钨纳米片修饰电极的全固态离子选择性电极及其制备方法
| 专利名称： | 一种基于导电二硫化钨纳米片修饰电极的全固态离子选择性电极及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于导电二硫化钨纳米片修饰电极的全固态离子选择性电极，包括电极基底以及依次包覆在所述电极基底上的导电二硫化钨纳米片修饰层和离子选择性聚合物膜。本发明还公开了该全固态离子选择性电极的制备方法。本发明的基于导电二硫化钨纳米片修饰电极的全固态离子选择性电极克服了现有涂覆离子选择性电极电位不稳定和重复性差等不足。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 浙江;33 |
| 申请人： | 浙江大学 |
| 发明人： | 平建峰;刘晓学;姚瑶;姜成美 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811281637.7 |
| 公开号： | CN109374710A |
| 代理机构： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 |
| 代理人： | 胡红娟 |
| 分类号： | G01N27/333(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 310013 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号 |
| 主权项： | 1.一种基于导电二硫化钨纳米片修饰电极的全固态离子选择性电极，其特征在于，包括电极基底以及依次包覆在所述电极基底上的导电二硫化钨纳米片修饰层和离子选择性聚合物膜。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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