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一种基于MXene纳米片修饰的全固态离子选择性电极及其制备方法
| 专利名称： | 一种基于MXene纳米片修饰的全固态离子选择性电极及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于MXene纳米片修饰的全固态离子选择性电极，包括电极基底以及依次包覆在所述电极基底上的MXene纳米片修饰层和离子选择性聚合物膜；所述的MXene为过渡金属碳化物或碳氮化物二维晶体，其化学式为Mn+1Xn；其中n＝1、2或3，M为过渡金属元素，X为碳和/或氮元素。本发明还公开了所述基于MXene纳米片修饰的全固态离子选择性电极的制备方法。MXene纳米片修饰层可大幅度提高电极基底与离子选择性聚合物膜之间的电子传递速率，同时可减少外界因素对电极性能的干扰，相比于传统的涂覆离子选择性电极，本发明的全固态离子选择性电极不仅具有电位更稳定和重复性好等优点，而且其成本低廉，制备简单。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 浙江;33 |
| 申请人： | 浙江大学 |
| 发明人： | 平建峰;邵雨舟;姜成美;姚瑶 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811379818.3 |
| 公开号： | CN109374711A |
| 代理机构： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 |
| 代理人： | 胡红娟 |
| 分类号： | G01N27/333(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 310013 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号 |
| 主权项： | 1.一种基于MXene纳米片修饰的全固态离子选择性电极，其特征在于，包括电极基底以及依次包覆在所述电极基底上的MXene纳米片修饰层和离子选择性聚合物膜；所述的MXene纳米片为过渡金属碳化物或碳氮化物二维晶体，其化学式为Mn+1Xn；其中n＝1、2或3，M为过渡金属元素，X为碳和/或氮元素。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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