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一种单原子氢传感器及其制备方法
| 专利名称： | 一种单原子氢传感器及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种单原子氢探测及传感器的制备方法，该原子氢传感器以过渡金属钒(V)作为单原子氢传感器的敏感层；金属电极作为传感器的测试电极；Si3N4作为阻挡层，防止高能H穿透敏感层；并在下方设置温控电极，稳定传感器的工作温度，满足了空间环境或其他环境原子氢探测的需求。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 甘肃;62 |
| 申请人： | 兰州空间技术物理研究所 |
| 发明人： | 杨生胜;黄一凡;甄小娟;张剑锋;黄文超;张晨光;庄建宏;乔佳;薛玉雄 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811155786.9 |
| 公开号： | CN109490367A |
| 代理机构： | 北京理工大学专利中心 11120 |
| 代理人： | 李爱英;郭德忠 |
| 分类号： | G01N27/00(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 730000 甘肃省兰州市城关区渭源路97号 |
| 主权项： | 1.一种单原子氢传感器，其特征在于，包括敏感层(1)、温控层(2)、阻挡层(3)、基底(4)以及电极(5)，自上而下依次为电极(5)、敏感层(1)、温控层(2)、阻挡层(3)以及基底(4)，其中所述温控层(2)嵌入阻挡层(3)中；所述敏感层材料为过渡金属V；所述阻挡层用于防止高能H进入温控层(2)，同时防止高能H原子穿过敏感层。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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