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应用于VCSEL结构外延片的光致发光测试的逐层刻蚀方法及其VCSEL结构外延片
| 专利名称： | 应用于VCSEL结构外延片的光致发光测试的逐层刻蚀方法及其VCSEL结构外延片 |
| 摘要： | 本发明公开了应用于VCSEL结构外延片的光致发光测试的逐层刻蚀方法及其VCSEL结构外延片，逐层刻蚀方法包括以下步骤：(1)在VCSEL结构外延片的上方放置一个激光器，使所述激光器的出射光对准VCSEL结构外延片；(2)调节所述激光器照射在所述VCSEL结构外延片上的光斑直径为1.5‑2.5mm，调节所述激光器的输出功率为500W；(3)所述激光器对所述VCSEL结构外延片进行激光刻蚀，待所述VCSEL结构外延片的刻蚀深度到达3‑5μm后，停止激光刻蚀。VCSEL结构外延片，所述VCSEL结构外延片上的刻蚀区域是直径为1.5‑2.5mm的圆形，所述VCSEL结构外延片的刻蚀深度为3‑5μm。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 中科芯电半导体科技（北京）有限公司 |
| 发明人： | 张杨;李弋洋 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811563848.X |
| 公开号： | CN109507006A |
| 代理机构： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 |
| 代理人： | 张素红 |
| 分类号： | G01N1/32(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N1 |
| 申请人地址： | 100076 北京市大兴区西红门镇金盛大街2号院23号楼二层（中科芯电） |
| 主权项： | 1.一种应用于VCSEL结构外延片的光致发光测试的逐层刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在VCSEL结构外延片的上方放置一个激光器，使所述激光器的出射光对准VCSEL结构外延片；(2)调节所述激光器照射在所述VCSEL结构外延片上的光斑直径为1.5‑2.5mm，调节所述激光器的输出功率为500W；(3)所述激光器对所述VCSEL结构外延片进行激光刻蚀，待所述VCSEL结构外延片的刻蚀深度到达3‑5μm后，停止激光刻蚀。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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