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一种石英晶体微天平湿度传感器及其制备方法
| 专利名称： | 一种石英晶体微天平湿度传感器及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明属于湿度传感器技术领域，并具体公开了一种石英晶体微天平湿度传感器及其制备方法，该湿度传感器采用如下步骤制备：在石英晶体微天平上沉积一层ZnO催化层；在ZnO催化层上沉积一层Cu种子层，用于后续生长纳米线作为湿敏层材料；将沉积有ZnO催化层和Cu种子层的石英晶体微天平置于NaOH和(NH4)2S2O8的混合溶液中，通过Cu种子层与混合溶液的反应并在ZnO催化层的作用下，以在ZnO催化层上生长超致密超亲水Cu(OH)2纳米线，从而获得石英晶体微天平湿度传感器。本发明具有响应快、湿滞小、灵敏度高、重复性好、性能稳定、成本低等优点。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 湖北;42 |
| 申请人： | 华中科技大学 |
| 发明人： | 廖广兰;林建斌;谭先华;方涵;史铁林;汤自荣 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811188404.2 |
| 公开号： | CN109507059A |
| 代理机构： | 华中科技大学专利中心 42201 |
| 代理人： | 张彩锦;曹葆青 |
| 分类号： | G01N5/02(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N5 |
| 申请人地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 |
| 主权项： | 1.一种石英晶体微天平湿度传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1在石英晶体微天平上沉积一层ZnO催化层；S2在ZnO催化层上沉积一层Cu种子层，用于后续生长纳米线作为湿敏层材料；S3将沉积有ZnO催化层和Cu种子层的石英晶体微天平置于NaOH和(NH4)2S2O8的混合溶液中，通过Cu种子层与混合溶液的反应并在ZnO催化层的作用下，以在ZnO催化层上生长超致密超亲水Cu(OH)2纳米线，从而获得石英晶体微天平湿度传感器。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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