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基于凹槽结构的无参比电极GaN基pH传感器及其制备方法
| 专利名称： | 基于凹槽结构的无参比电极GaN基pH传感器及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体pH传感器技术领域，涉及一种基于凹槽结构的无参比电极GaN基pH传感器及其制备方法。包括下述步骤：首先在GaN外延材料上生长薄层低铝组分的AlGaN薄势垒层及AlN插入层，在所述材料表面沉积一层介质层作为掩膜层，采用光刻显影技术及湿法腐蚀去除探测区域以外的介质层，实现对掩膜层的图形化，进而在无掩膜区域生长高铝组分AlGaN薄势垒层形成凹槽结构，在凹槽区域沉积对pH变化敏感的探测材料并制备欧姆接触电极，最终封装凹槽以外区域形成传感器件。本发明工艺简单，凹槽区域薄层低铝组分的AlGaN可以在保留二维电子气沟道的同时有效提升器件跨导，而接入区高铝组分的AlGaN可形成高浓度二维电子器降低传感器损耗、提升传感器的反应速度。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 广东;44 |
| 申请人： | 中山大学 |
| 发明人： | 李柳暗;丘秋凌;刘扬 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811332308.0 |
| 公开号： | CN109540987A |
| 代理机构： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 |
| 代理人： | 陈卫 |
| 分类号： | G01N27/30(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 510275 广东省广州市海珠区新港西路135号 |
| 主权项： | 1.一种基于凹槽结构的无参比电极GaN基pH传感器，其特征在于，其结构由下往上依次包括衬底（1）；应力缓冲层（2）；GaN外延层（3）；低铝组分AlGaN薄势垒层（4）；AlN插入层（5）；二次生长高铝组分AlGaN薄势垒层（6）：高铝组分AlGaN薄势垒层（6）中部形成凹槽；高敏感度探测材料（7）：沉积填充于高铝组分AlGaN薄势垒层（6）的凹槽中；欧姆接触电极（8）：高敏感度探测材料（7）两端形成欧姆电极；封装材料（9）。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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