专利名称: |
基于凹槽结构的无参比电极GaN基pH传感器及其制备方法 |
摘要: |
本发明涉及半导体pH传感器技术领域,涉及一种基于凹槽结构的无参比电极GaN基pH传感器及其制备方法。包括下述步骤:首先在GaN外延材料上生长薄层低铝组分的AlGaN薄势垒层及AlN插入层,在所述材料表面沉积一层介质层作为掩膜层,采用光刻显影技术及湿法腐蚀去除探测区域以外的介质层,实现对掩膜层的图形化,进而在无掩膜区域生长高铝组分AlGaN薄势垒层形成凹槽结构,在凹槽区域沉积对pH变化敏感的探测材料并制备欧姆接触电极,最终封装凹槽以外区域形成传感器件。本发明工艺简单,凹槽区域薄层低铝组分的AlGaN可以在保留二维电子气沟道的同时有效提升器件跨导,而接入区高铝组分的AlGaN可形成高浓度二维电子器降低传感器损耗、提升传感器的反应速度。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
广东;44 |
申请人: |
中山大学 |
发明人: |
李柳暗;丘秋凌;刘扬 |
专利状态: |
有效 |
申请号: |
CN201811332308.0 |
公开号: |
CN109540987A |
代理机构: |
广州粤高专利商标代理有限公司 44102 |
代理人: |
陈卫 |
分类号: |
G01N27/30(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
申请人地址: |
510275 广东省广州市海珠区新港西路135号 |
主权项: |
1.一种基于凹槽结构的无参比电极GaN基pH传感器,其特征在于,其结构由下往上依次包括衬底(1);应力缓冲层(2);GaN外延层(3);低铝组分AlGaN薄势垒层(4);AlN插入层(5);二次生长高铝组分AlGaN薄势垒层(6):高铝组分AlGaN薄势垒层(6)中部形成凹槽;高敏感度探测材料(7):沉积填充于高铝组分AlGaN薄势垒层(6)的凹槽中;欧姆接触电极(8):高敏感度探测材料(7)两端形成欧姆电极;封装材料(9)。 |
所属类别: |
发明专利 |