专利名称: |
基于叉指凹槽结构的无参比电极GaN基pH传感器及其制备方法 |
摘要: |
本发明涉及半导体pH传感器技术领域,更具体地,涉及一种基于叉指凹槽结构的无参比电极GaN基pH传感器及其制备方法;包括下述步骤:首先在GaN外延材料上生长AlGaN势垒层,通过光刻显影的方法完成图形转移,进而通过刻蚀的方法,减薄pH探测区的势垒层厚度形成凹槽结构,然后对器件表面沉积掩膜并完成图形转移,通过刻蚀完成器件隔离,在凹槽结构沉积对pH变化敏感的探测材料并制备欧姆电极,最终封装凹槽结构以外区域形成探测器件。本发明工艺简单,引入叉指凹槽结构可以有效的提升器件跨导,表现在探测结果上是提升了器件的探测感度,并且具有较快的响应速度。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
广东;44 |
申请人: |
中山大学 |
发明人: |
李柳暗;王亚朋;刘扬 |
专利状态: |
有效 |
申请号: |
CN201811333780.6 |
公开号: |
CN109540988A |
代理机构: |
广州粤高专利商标代理有限公司 44102 |
代理人: |
陈卫 |
分类号: |
G01N27/30(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
申请人地址: |
510275 广东省广州市海珠区新港西路135号 |
主权项: |
1.一种基于叉指凹槽结构的无参比电极GaN基pH传感器,其特征在于,其结构由下往上依次包括衬底(1);应力缓冲层(2);GaN外延层(3);AlGaN势垒层(4):AlGaN势垒层(4)形成凹槽结构;欧姆接触电极(5):AlGaN势垒层(4)的两端形成欧姆接触电极(5);封装材料层(6):覆盖于欧姆接触电极(5)表面;高敏感度探测材料(7):填充于AlGaN势垒层(4)形成凹槽结构中。 |
所属类别: |
发明专利 |