原文传递
基于叉指凹槽结构的无参比电极GaN基pH传感器及其制备方法
| 专利名称： | 基于叉指凹槽结构的无参比电极GaN基pH传感器及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体pH传感器技术领域，更具体地，涉及一种基于叉指凹槽结构的无参比电极GaN基pH传感器及其制备方法；包括下述步骤:首先在GaN外延材料上生长AlGaN势垒层，通过光刻显影的方法完成图形转移，进而通过刻蚀的方法，减薄pH探测区的势垒层厚度形成凹槽结构，然后对器件表面沉积掩膜并完成图形转移，通过刻蚀完成器件隔离，在凹槽结构沉积对pH变化敏感的探测材料并制备欧姆电极，最终封装凹槽结构以外区域形成探测器件。本发明工艺简单，引入叉指凹槽结构可以有效的提升器件跨导，表现在探测结果上是提升了器件的探测感度，并且具有较快的响应速度。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 广东;44 |
| 申请人： | 中山大学 |
| 发明人： | 李柳暗;王亚朋;刘扬 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811333780.6 |
| 公开号： | CN109540988A |
| 代理机构： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 |
| 代理人： | 陈卫 |
| 分类号： | G01N27/30(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 510275 广东省广州市海珠区新港西路135号 |
| 主权项： | 1.一种基于叉指凹槽结构的无参比电极GaN基pH传感器，其特征在于，其结构由下往上依次包括衬底（1）；应力缓冲层（2）；GaN外延层（3）；AlGaN势垒层（4）：AlGaN势垒层（4）形成凹槽结构；欧姆接触电极（5）：AlGaN势垒层（4）的两端形成欧姆接触电极（5）；封装材料层（6）：覆盖于欧姆接触电极（5）表面；高敏感度探测材料（7）：填充于AlGaN势垒层（4）形成凹槽结构中。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
检索历史
应用推荐
