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光子晶体光纤FP折射率-应变传感器及其制作方法
| 专利名称： | 光子晶体光纤FP折射率-应变传感器及其制作方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种光子晶体光纤FP折射率‑应变传感器，包括光子晶体光纤，其特征在于，所述光子晶体光纤的纤芯上长50μm、宽80μm的矩形槽，该矩形槽贯穿光纤横截面，形成感知折射率变化的第一腔体装置；所述传感器还包括单模光纤，单模光纤与一段光子晶体光纤熔接在熔接面上单模光纤的纤芯处有一凹陷部，熔接面外部包层处成型有一圈凹陷区，形成感知应变变化第二腔体置；第一腔体和第二腔体级联形成传感器，利用该结构的反射光谱图进行折射率‑应变的传感。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 北京信息科技大学 |
| 发明人： | 祝连庆;周康鹏;何巍;张雯;董明利;娄小平;刘锋 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-05-20T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-08-02T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910418275.X |
| 公开号： | CN110082315A |
| 代理机构： | 北京市科名专利代理事务所(特殊普通合伙) |
| 代理人： | 陈朝阳 |
| 分类号： | G01N21/45(2006.01);G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 100085 北京市海淀区清河小营东路12号 |
| 主权项： | 1.一种光子晶体光纤FP折射率-应变传感器，包括光子晶体光纤，其特征在于，所述光子晶体光纤的纤芯上长50μm、宽80μm的矩形槽，该矩形槽贯穿光纤横截面，形成感知折射率变化的第一腔体装置； 所述传感器还包括单模光纤，单模光纤与一段光子晶体光纤熔接在熔接面上单模光纤的纤芯处有一凹陷部，熔接面外部包层处成型有一圈凹陷区，形成感知应变变化第二腔体置； 第一腔体和第二腔体级联形成传感器，利用该结构的反射光谱图进行折射率-应变的传感。 2.如其权利要求1所述的一种光子晶体光纤FP折射率-应变传感器，其特征在于，所述温度和折射率传感器采用宽带光源作为光源。 3.一种光子晶体光纤FP折射率-应变传感器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一）将光子晶体光纤去除涂覆层后用酒精擦拭干净，固定到三维移动平台上；将飞秒激光聚焦到纤芯上，垂直于光纤轴向，采用划线法在纤芯上制作出长50μm、宽80μm的矩形槽，该矩形槽贯穿光纤横截面； 步骤二）将单模光纤涂覆层去除，用酒精擦拭后切平，切面在40%质量分数的氢氟酸下腐蚀15分钟后对腐蚀端面进行超声清洗处理； 步骤三）将处理好的单模光纤与一端面切平的光子晶体光纤相对熔接成腔，熔接完成后，外部包层处形成一圈气体塌陷区； 步骤四）将步骤一）制成的的光子晶体光纤结构与步骤三）的光子晶体光纤部级联，利用该结构的反射光谱图进行折射率-应变的传感。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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