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一种基于负曲率光子晶体光纤的SPR低折射率传感器
| 专利名称： | 一种基于负曲率光子晶体光纤的SPR低折射率传感器 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于负曲率光子晶体光纤的SPR低折射率传感器，其特征在于：SPR传感器基于光子晶体光纤结构，光子晶体光纤基底为(1)，光子晶体光纤的芯子(2)由两层空气壁(3)、(4)围绕形成，每层空气壁由六个相同负曲率的扇形环构成，光子晶体光纤的包层外壁涂覆有金属(5)，金属由待测物质(6)包覆，金属材料具有金属表面等离子体谐振SPR效应，与光纤中的纤芯模式发生耦合，在谐振波长处出现损耗峰，当外部待测物质(6)发生变化时，损耗峰波长漂移，通过观测波长的漂移，实现折射率的测量，传感器具有偏振无关特性且适用于低折射率范围为1.2‑1.33，传感器灵敏度最高达到12000nm/RIU，该传感器为低折射率物质的测量与监测提供重要的器件支持。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 北京交通大学 |
| 发明人： | 裴丽;王建帅;王吉;吴良英 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-01-22T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-05-14T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910057172.5 |
| 公开号： | CN109752345A |
| 代理机构： | 北京市诚辉律师事务所 |
| 代理人： | 王玉 |
| 分类号： | G01N21/41(2006.01);G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 100044 北京市海淀区西直门外上园村3号 |
| 主权项： | 1.一种基于负曲率光子晶体光纤的SPR低折射率传感器，其特征在于：SPR传感器基于负曲率光子晶体光纤结构，光子晶体光纤基底为(1)，光子晶体光纤的芯子(2)由两层空气壁(3)、(4)围绕形成，每层空气壁由六个相同负曲率的扇形环构成，光子晶体光纤的包层外壁涂覆有金属(5)，金属外部由待测物质(6)包覆，金属材料具有金属表面等离子体谐振SPR效应，当与光纤中的纤芯模式发生耦合时，在谐振波长处出现损耗峰，当外部待测物质(6)发生变化时，损耗峰波长漂移，通过观测波长的漂移，实现折射率的测量，传感器主要针对折射率测量范围为1.2-1.33，传感器灵敏度最高可达12000nm/RIU。 2.根据权利要求1所述的一种基于负曲率光子晶体光纤的SPR低折射率传感器，其特征在于：空气壁(3)、(4)中的扇形环的厚度、距离、角度可以调节。 3.根据权利要求1所述的一种基于负曲率光子晶体光纤的SPR低折射率传感器，其特征在于：光子晶体光纤包层外壁涂覆的金属(5)材料可变，包括：金、银、ITO、氧化铝。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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