专利名称: |
通过虚拟荧光分布模型计算模拟平均时延方法所收集的信号的最小平方误差来获得两种以上荧光寿命成分的荧光寿命测量装置和方法 |
摘要: |
根据本发明的一个实施例的荧光寿命测量装置包括:照射光产生单元,其用于产生照射光;荧光光子检测单元,其用于收集通过用照射光照射包括荧光分子的至少一种样品而产生的荧光光子的荧光信号;以及测量单元,其用于通过对所收集的荧光信号的函数和模拟函数使用最小二乘法计算来计算荧光寿命。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
韩国;KR |
申请人: |
延世大学校产学协力团 |
发明人: |
金德泳;黄元商;金东垠;姜珉求 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2017-11-17T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-08-02T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201780078883.X |
公开号: |
CN110088599A |
代理机构: |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 |
代理人: |
顾红霞;杨利剑 |
分类号: |
G01N21/64(2006.01);G;G01;G01N;G01N21 |
申请人地址: |
韩国首尔 |
主权项: |
1.一种荧光寿命测量装置,包括: 照射光产生单元,其构造成产生照射光; 荧光光子检测单元,其构造成收集通过用所述照射光照射包括荧光分子的至少一种或多种样品而产生的荧光光子; 转换单元,其构造成将所述荧光光子放大并转换成荧光信号;以及 测量单元,其构造成通过将最小二乘法应用于模拟函数和所述荧光信号的函数来计算荧光寿命。 2.根据权利要求1所述的荧光寿命测量装置,其中,当假设一种所述样本的荧光寿命为τ,一种所述样本的荧光分布函数为f(t),并且所述荧光寿命测量装置的响应函数为h(t)时,使用以下等式来计算所述模拟函数gc(t,τ): 3.根据权利要求2所述的荧光寿命测量装置,其中,当所述荧光信号的测量函数为g(t)时,使用以下等式计算所述最小二乘法的平方误差χ2(τ)。 4.根据权利要求1所述的荧光寿命测量装置,其中,当多种所述样品的荧光寿命为τ1和τ2,具有所述荧光寿命τ1的一种样品与所有多种所述样品的比率为α,多种所述样品的荧光分布函数为f(t,α,τ1,τ2),并且所述荧光寿命测量装置的响应函数为h(t)时,使用以下等式来计算所述模拟函数gc(t,α,τ1,τ2): 5.根据权利要求4所述的荧光寿命测量装置,其中,当所述荧光信号的测量函数为g(t)时,使用以下等式计算所述最小二乘法的平方误差χ2(τ): 6.一种荧光寿命测量方法,包括: 光产生步骤,在所述光产生步骤中,产生照射光; 照射步骤,在所述照射步骤中,收集通过用所述照射光照射至少一种或多种样品而产生的荧光光子; 转换步骤,在所述转换步骤中,将所述荧光光子转换成荧光信号;以及 测量步骤,在所述测量步骤中,通过将最小二乘法应用于模拟函数和所述荧光信号的函数来计算荧光寿命。 7.根据权利要求6所述的荧光寿命测量方法,其中,当在所述测量步骤中,一种所述样本的荧光寿命为τ,一种所述样本的荧光分布函数为f(t),并且荧光寿命测量装置的响应函数为h(t)时,使用以下等式来计算所述模拟函数gc(t,τ): 8.根据权利要求7所述的荧光寿命测量方法,其中,当在所述测量步骤中,所述荧光信号的测量函数为g(t)时,使用以下等式计算所述最小二乘法的平方误差χ2: 9.根据权利要求6所述的荧光寿命测量方法,其中,当在所述测量步骤中,多种所述样品的荧光寿命为τ1和τ2,具有所述荧光寿命τ1的一种样品与所有多种所述样品的比率为∝,多种所述样品的荧光分布函数为f(t,α,τ1,τ2),并且测量装置的响应函数为h(t)时,使用以下等式来计算所述模拟函数gc(t,α,τ1,τ2): 10.根据权利要求9所述的荧光寿命测量方法,其中,当在所述测量步骤中,所述荧光信号的测量函数为g(t)时,使用以下等式计算所述最小二乘法的平方误差χ2: |
所属类别: |
发明专利 |