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原文传递用于测量荧光寿命的装置和方法

专利名称：	用于测量荧光寿命的装置和方法
摘要：	根据本发明实施例的荧光寿命测量装置包括：照射光产生单元，其用于产生照射光；荧光光子检测单元，其用于收集在用照射光照射包括荧光分子的样品时产生的荧光光子；转换单元，其用于将收集到的荧光光子转换为第一时钟信号，以及将未经过样品的照射光转换为第二时钟信号；第一模块，其用于根据转换单元分析收集到的荧光光子的荧光寿命；控制单元，其用于根据第一模块指定样品的关注范围(ROI)；以及第二模块，其用于分析对应于ROI的荧光光子的荧光寿命。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	韩国;KR
申请人：	英泰克普拉斯有限公司
发明人：	李相允;姜珉求;元荣载;李承洛;朴炳俊;金炳渊
专利状态：	有效
申请日期：	2017-11-17T00:00:00+0800
发布日期：	2019-08-27T00:00:00+0800
申请号：	CN201780077817.0
公开号：	CN110178016A
代理机构：	北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人：	顾红霞;杨利剑
分类号：	G01N21/64(2006.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	韩国大田广域市
主权项：	1.一种荧光寿命测量装置，包括：照射光产生单元，其构造成产生照射光；荧光光子检测单元，其构造成收集通过用所述照射光照射包括荧光分子的样品而产生的荧光光子；转换单元，其构造成将收集到的荧光光子转换为第一时钟信号，并将未经过所述样品的照射光转换为第二时钟信号；第一模块，其构造成根据所述转换单元分析所述收集到的荧光光子的荧光寿命；控制单元，其构造成根据所述第一模块指定所述样品的关注范围(ROI)；以及第二模块，其构造成分析对应于所述ROI的荧光光子的荧光寿命。 2.根据权利要求1所述的荧光寿命测量装置，其中，所述第一模块包括模拟平均时延(AMD)测量单元，所述模拟平均时延测量单元构造成使用所述第一时钟信号的平均时间与所述第二时钟信号的平均时间之间的差来计算所述荧光寿命。 3.根据权利要求1所述的荧光寿命测量装置，其中，所述第二模块包括时间相关单光子计数(TCSPC)测量单元，所述时间相关单光子计数测量单元构造成累积一个荧光光子的时间数据以计算所述荧光寿命。 4.一种荧光寿命测量方法，包括：光产生步骤，在所述光产生步骤中，产生照射光；第一照射步骤，在所述第一照射步骤中，用所述照射光照射样品；模拟平均时延(AMD)测量步骤，在所述模拟平均时延测量步骤中，计算荧光光子检测单元所收集的荧光光子的荧光寿命；控制步骤，在所述控制步骤中，根据所述AMD测量步骤的结果指定所述样品的关注范围(ROI)；以及时间相关单光子计数(TCSPC)测量步骤，在所述时间相关单光子计数测量步骤中，计算对应于所述ROI的荧光光子的荧光寿命。 5.根据权利要求4所述的荧光寿命测量方法，在所述控制步骤之后还包括：调节步骤，在所述调节步骤中，将所述照射光的强度降低到单个光子水平；以及第二照射步骤，在所述第二照射步骤中，重新收集通过用调节后的照射光重新照射所述ROI而产生的荧光光子，其中，所述TCSPC测量步骤包括计算在所述第二照射步骤中检测到的荧光光子的荧光寿命。
所属类别：	发明专利