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原文传递 NiO氧化物半导体二甲苯传感器及其制备方法与应用

专利名称：	NiO氧化物半导体二甲苯传感器及其制备方法与应用
摘要：	本发明属于气体传感器领域，具体涉及一种NiO氧化物半导体二甲苯传感器及其制备方法与应用。本发明提供的NiO氧化物半导体二甲苯传感器包括：外表面套设有两个平行且彼此分隔的环形Au电极的Al2O3陶瓷管，连接在每个所述环形Au电极上的铂丝，涂覆在所述Al2O3陶瓷管外表面和环形Au电极上的半导体氧化物敏感材料，和置于所述Al2O3陶瓷管内的镍镉合金线圈，所述半导体氧化物敏感材料为多孔花状的NiO。本发明以多孔花状的NiO作为传感器的敏感材料，用该敏感材料制得的气体传感器具有对二甲苯广泛的检测范围以及低检测下限(5ppm)，在检测环境中二甲苯污染物方面有广阔的应用前景。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	海南;46
申请人：	海南大学
发明人：	王庆吉;李朝阳;赵昱博;刘泽轩
专利状态：	有效
申请日期：	2019-06-03T00:00:00+0800
发布日期：	2019-08-02T00:00:00+0800
申请号：	CN201910477594.8
公开号：	CN110082398A
代理机构：	北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：	藏斌;赵青朵
分类号：	G01N27/12(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	570228 海南省海口市人民大道58号海南大学
主权项：	1.一种NiO氧化物半导体二甲苯传感器，包括：外表面套设有两个平行且彼此分隔的环形Au电极的Al2O3陶瓷管，连接在每个所述环形Au电极上的铂丝，涂覆在所述Al2O3陶瓷管外表面和环形Au电极上的半导体氧化物敏感材料，和置于所述Al2O3陶瓷管内的镍镉合金线圈，其特征在于，所述半导体氧化物敏感材料为多孔花状的NiO。 2.根据权利要求1所述的NiO氧化物半导体二甲苯传感器，其特征在于，所述多孔花状的NiO按照以下步骤制备得到： (1)首先利用磁力搅拌将2mmol NiCl2·6H2O分散在20mL无水乙醇的烧杯中； (2)然后将10mL氨水加入烧杯中； (3)接着将5mL浓度为1mol/L的NaOH水溶液逐滴加入烧杯中； (4)之后将2g NaCl溶解在上述溶液中； (5)5分钟后，将混合溶液转移到45mL聚四氟乙烯衬里的高压釜中并在180℃下加热12小时； (6)当溶剂热过程完成时，将高压釜自然冷却至室温； (7)将所得产物离心并用蒸馏水和无水乙醇洗涤数次，然后在80℃下干燥10小时； (8)将干燥后的粉末置于马弗炉中，在400℃下烧结2小时，最终获得多孔花状的NiO。 3.一种权利要求1或2所述NiO氧化物半导体二甲苯传感器的制备方法，包括以下步骤： (1)将多孔花状的NiO与去离子水混合成糊状，之后将其涂覆在外表面套设有两个平行且彼此分隔的环形Au电极的Al2O3陶瓷管的外表面，形成敏感材料薄膜，所述敏感材料薄膜完全覆盖住环形Au电极； (2)把外表面形成有敏感材料薄膜的Al2O3陶瓷管先至于烘箱中并在70℃下烘烤15分钟，之后再放入马弗炉中于400℃下煅烧2小时；然后将镍镉合金线圈穿过Al2O3陶瓷管内部作为加热丝；最后对得到的器件进行焊接和封装，得到NiO氧化物半导体二甲苯传感器。 4.权利要求1～2任一项所述的NiO氧化物半导体二甲苯传感器在检测大气环境中二甲苯浓度上的应用。
所属类别：	发明专利