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一种CoSn双金属氧化物半导体材料及其制备方法
| 专利名称： | 一种CoSn双金属氧化物半导体材料及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明属于气体传感器技术领域的一种CoSn双金属氧化物半导体材料及其制备方法。所述材料由不同摩尔比例的Co和Sn纳米颗粒组成，Co和Sn的摩尔比为0.1‑10，纳米颗粒粒径为20‑50nm。本发明的材料可作为气敏检测材料，对环境中甲烷、乙醇、氨气等气体进行检测，其制备简便，收率高，具有检测温度低、基线平稳、灵敏度高等诸多性能优势。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 有研工程技术研究院有限公司 |
| 发明人： | 张晓;徐瑶华;刘皓;赵文瑞;魏峰 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-08-22T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-11-15T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910777866.6 |
| 公开号： | CN110455874A |
| 代理机构： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 |
| 代理人： | 黄家俊 |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 101407北京市怀柔区雁栖经济开发区兴科东大街11号 |
| 主权项： | 1.一种CoSn双金属氧化物半导体材料，其特征在于，所述材料由不同摩尔比例的Co和Sn纳米颗粒组成，Co和Sn的摩尔比为0.1-10，纳米颗粒粒径为20-50nm。 2.根据权利要求1所述的CoSn双金属氧化物半导体材料，其特征在于，所述材料在350℃时，对100ppm乙醇的灵敏度为14.1～50。 3.根据权利要求1所述的一种CoSn双金属氧化物半导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1)分别称取Co和Sn的金属盐，溶于无水乙醇或乙醇与甲醇的混合溶液中，搅拌形成澄清溶液A； 2)称取沉淀剂溶于无水乙醇或乙醇与甲醇的混合溶液中，搅拌形成澄清溶液B； 3)将步骤1)得到的溶液A快速加入步骤2)形成的溶液B中，充分静置，得到双金属氧化物前驱体沉淀； 4)采用无水乙醇对步骤3)得到的前驱体沉淀进行洗涤并干燥； 5)将步骤4)得到的前驱体沉淀研磨并煅烧，得到CoSn双金属氧化物。 4.根据权利要求2所述的CoSn双金属氧化物半导体材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中，所述金属盐为Co、Sn的硝酸盐或氯化盐。 5.根据权利要求2所述的CoSn双金属氧化物半导体材料的制备方法，其特征在于，所述溶液B中，沉淀剂为2-甲基咪唑，沉淀剂与金属盐的摩尔比为1:4。 6.根据权利要求2所述的CoSn双金属氧化物半导体材料的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中，静置时间为12-24h。 7.根据权利要求2所述的CoSn双金属氧化物半导体材料的制备方法，其特征在于，所述步骤5)中，煅烧过程的升温速率为2-10℃/min，煅烧环境为空气，煅烧温度为400～800℃。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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