详情

原文传递缓冲构件

专利名称：	缓冲构件
摘要：	本发明提供一种在将收纳半导体晶片的收纳容器打包到打包盒中时被配置到收纳容器与打包盒之间的缓冲构件，收纳容器具备：箱型的主体，其上表面敞开；盖，其将上表面闭合；保持部，其设置在盖的背侧，与收纳在主体内的半导体晶片的上部周缘抵接，限制移动；缓冲构件具有上部缓冲构件，该上部缓冲构件具备与盖的上表面接触的上部收纳部；上部收纳部具备与盖的上表面离开而对置的上部对置面、和从上部对置面突出并与盖的上表面接触的上部侧肋板；上部侧肋板设置在以下这样的位置：在接触的状态下，与位于至少设有保持部的区域的正上方的盖的上表面区域接触。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	日本;JP
申请人：	胜高股份有限公司
发明人：	堀尾朋广
专利状态：	有效
申请日期：	2018-01-31T00:00:00+0800
发布日期：	2019-08-06T00:00:00+0800
申请号：	CN201810096969.1
公开号：	CN110092092A
代理机构：	中国专利代理(香港)有限公司
代理人：	殷超;刘林华
分类号：	B65D81/05(2006.01);B;B65;B65D;B65D81
申请人地址：	日本东京都
主权项：	1.一种缓冲构件，在将收纳半导体晶片的收纳容器打包到打包盒中时，被配置到前述收纳容器与前述打包盒之间，其特征在于，前述收纳容器具备：箱型的主体，其上表面敞开；盖，其将前述上表面闭合；和保持部，其设置在前述盖的背侧，与收纳在前述主体内的前述半导体晶片的上部周缘抵接，限制前述半导体晶片的移动；前述缓冲构件具有上部缓冲构件，所述上部缓冲构件具备与前述盖的上表面接触的上部收纳部；前述上部收纳部具备与前述盖的上表面离开而对置的上部对置面、和从前述上部对置面突出并与前述盖的上表面接触的上部侧肋板；前述上部侧肋板设置在以下这样的位置：与位于至少设置有前述保持部的区域的正上方的前述盖的上表面区域接触。 2.如权利要求1所述的缓冲构件，其特征在于，前述上部侧肋板的平面形状是十字形。 3.如权利要求2所述的缓冲构件，其特征在于，前述上部侧肋板在十字的交叉部设有上部侧孔。 4.如权利要求1所述的缓冲构件，其特征在于，前述收纳容器具备以从底面突出的方式设置在前述底面上的至少一对脚部；前述缓冲构件具有下部缓冲构件，所述下部缓冲构件具备与前述底面接触的下部收纳部；前述下部收纳部具备从前述脚部离开而与前述收纳容器的前述底面对置的下部对置面、和从前述下部对置面突出并与前述收纳容器的前述底面接触的下部侧肋板。 5.如权利要求4所述的缓冲构件，其特征在于，前述缓冲构件具有与前述盖及前述底面接触的中部缓冲构件；前述中部缓冲构件具备：板状的中部缓冲构件主体；中部盖收纳部，其设置在前述中部缓冲构件主体的底面上，具有与前述盖的上表面离开而对置的盖对置面、和从前述盖对置面突出并与前述盖的上表面接触的盖侧肋板；和中部底面收纳部，其设置在前述中部缓冲构件主体的上表面上，具有从前述脚部离开而与前述收纳容器的前述底面对置的底面对置面、和从前述底面对置面突出并与前述收纳容器的前述底面接触的底面侧肋板；前述盖侧肋板设置在以下这样的位置：与位于至少设有前述保持部的区域的正上方的前述盖的上表面区域接触。 6.如权利要求5所述的缓冲构件，其特征在于，前述上部收纳部、前述下部收纳部、前述中部盖收纳部、前述中部底面收纳部排列有多组。 7.如权利要求1～6中任一项所述的缓冲构件，其特征在于，由发泡倍率为20倍以上、40倍以下的发泡体构成。 8.如权利要求1～6中任一项所述的缓冲构件，其特征在于，由发泡聚氨酯、发泡聚乙烯、发泡聚丙烯或发泡聚苯乙烯的某种构成。 9.一种缓冲构件，在将收纳半导体晶片的收纳容器打包到打包盒中时，被配置到前述收纳容器与前述打包盒之间，其特征在于，前述收纳容器具备：箱型的主体，其上表面敞开；盖，其将前述上表面闭合；和保持部，其设置在前述盖的背侧，与收纳在前述主体内的前述半导体晶片的上部周缘抵接，限制前述半导体晶片的移动；和至少一对脚部，其以从底面突出的方式设置在前述底面的端部；前述缓冲构件具有与前述盖的上表面及前述收纳容器的前述底面接触的中部缓冲构件；前述中部缓冲构件具备：板状的中部缓冲构件主体；中部盖收纳部，其设置在前述中部缓冲构件主体的底面上，具有与前述盖的上表面离开而对置的盖对置面、和从前述盖对置面突出并与前述盖的上表面接触的盖侧肋板；中部底面收纳部，其设置在前述中部缓冲构件主体的上表面上，具有从前述脚部离开而与前述收纳容器的前述底面对置的底面对置面、和从前述底面对置面突出并与前述收纳容器的前述底面接触的底面侧肋板；前述盖侧肋板设置在以下这样的位置：与位于至少设有前述保持部的区域的正上方的前述盖的上表面区域接触。
所属类别：	发明专利