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原文传递离子浓度分布测定装置

专利名称：	离子浓度分布测定装置
摘要：	离子浓度分布测定装置，其具备：单元检测部10m,n，其输出与离子浓度相应的量的电荷；及积分电路20n，其输出与从单元检测部输出的电荷的量相应的信号值。单元检测部10m,n包括：MOS晶体管11、离子感应部12、第一电容部13及传送用开关14。积分电路20n包括：放大器21、第二电容部22及重置开关23。由此，能够实现不易受噪声的影响的离子浓度分布测定装置。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	日本;JP
申请人：	国立大学法人丰桥技术科学大学
发明人：	泽田和明;山本洋夫;水野诚一郎;若森俊树
专利状态：	有效
申请日期：	2018-02-08T00:00:00+0800
发布日期：	2019-08-06T00:00:00+0800
申请号：	CN201880005372.X
公开号：	CN110100176A
代理机构：	北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人：	杨琦;尹明花
分类号：	G01N27/414(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	日本爱知县
主权项：	1.一种离子浓度分布测定装置，其中，包括：检测部，其由分别输出与离子浓度相应的量的电荷的多个单元检测部在半导体基板上以一维方式或二维方式排列而形成；及信号处理部，其包括输出与从所述单元检测部输出的电荷的量相应的信号值的1个或2个以上的积分电路，所述单元检测部包括： MOS晶体管，其包括第一电极、第二电极与栅电极；离子感应部，其与所述MOS晶体管的所述栅电极电连接，对所述栅电极赋予与离子浓度相应的电位；第一电容部，其设置于所述MOS晶体管的所述第二电极与基准电位输入端子之间，蓄积与所述栅电极的电位相应的量的电荷；及传送用开关，其具有第一端及第二端，所述第一端与所述MOS晶体管的所述第二电极电连接，且将蓄积于所述第一电容部的电荷从所述第二端输出，所述积分电路包括：放大器，其具有：输入从所述多个单元检测部中的任一个单元检测部输出的电荷的第一输入端子、输入基准电位的第二输入端子、及输出信号值的输出端子；第二电容部，其设置于所述放大器的所述第一输入端子与所述输出端子之间，蓄积输入至所述放大器的所述第一输入端子的电荷；及重置开关，其相对于所述第二电容部并联设置，并重置所述第二电容部的电荷蓄积，并且，将与蓄积于所述第二电容部的电荷的量相应的信号值，从所述放大器的所述输出端子输出。 2.如权利要求1所述的离子浓度分布测定装置，其中，所述离子感应部被设置为覆盖所述MOS晶体管及所述传送用开关的双方或任一方的至少一部分。 3.如权利要求1或2所述的离子浓度分布测定装置，其中，与所述多个单元检测部的中的2个以上的单元检测部对应地设置有1个所述积分电路。 4.如权利要求1或2所述的离子浓度分布测定装置，其中，所述多个单元检测部排列成M行N列的二维，所述信号处理部包括N个所述积分电路，与所述多个单元检测部的中的各列的M个单元检测部对应地设置有1个所述积分电路，其中，M、N为2以上的整数。 5.如权利要求1～4中任一项所述的离子浓度分布测定装置，其中，所述单元检测部中，所述MOS晶体管的所述第一电极与所述传送用开关的所述第二端彼此电连接。 6.如权利要求5所述的离子浓度分布测定装置，其中，所述信号处理部进一步包括将从所述积分电路输出的信号值累积相加的累积电路。
所属类别：	发明专利