专利名称: |
光电流扫描系统 |
摘要: |
本发明涉及一种光电流扫描系统,包括一激光发生装置、一聚焦装置、一位移调整装置、一偏压供给装置及一测量装置;所述激光发生装置用于发射激光,所述聚焦装置用于将激光聚焦到所述位移调整装置中待测样品表面;所述位移调整装置用于驱动所述待测样品,使激光照射到待测样品表面的不同部位;所述偏压供给装置用于向所述待测样品提供电压;所述测量装置用于测量流过所述待测样品的电流信号。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
北京;11 |
申请人: |
清华大学 |
发明人: |
张科;魏洋;范守善 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2018-02-07T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-08-13T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201810123474.3 |
公开号: |
CN110118725A |
分类号: |
G01N21/01(2006.01);G;G01;G01N;G01N21 |
申请人地址: |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
主权项: |
1.一种光电流扫描系统,包括一激光发生装置、一聚焦装置、一位移调整装置、一偏压供给装置及一测量装置;所述激光发生装置用于发射激光,所述聚焦装置用于将激光聚焦到所述位移调整装置中待测样品表面;所述位移调整装置用于调整所述待测样品的位置,使激光照射到待测样品表面的不同部位;所述偏压供给装置用于向所述待测样品提供电压;所述测量装置用于测量流过所述待测样品的电流信号。 2.如权利要求1所述的光电流扫描系统,其特征在于,所述聚焦装置包括一物镜,该物镜对激光光束聚焦,使照射到待测样品表面的激光光斑直径为1微米至2微米。 3.如权利要求1所述的光电流扫描系统,其特征在于,所述位移调整装置包括一载物台和一位移台,该位移台固定在所述载物台,所述待测样品设置于所述位移台。 4.如权利要求3所述的光电流扫描系统,其特征在于,所述载物台用于对所述待测样品的位置进行粗调,所述位移台用于对所述待测样品的位置进行微调。 5.如权利要求1所述的光电流扫描系统,其特征在于,所述偏压供给装置和测量装置集成在同一个源表内,该源表用于向所述待测样品提供电压,同时测量所述待测样品的电流。 6.如权利要求1所述的光电流扫描系统,其特征在于,所述偏压供给装置为一源表,用于向所述待测样品提供偏压;所述测量装置包括一电流前置放大器和一锁相放大器,用于测量所述待测样品的电流。 7.如权利要求1所述的光电流扫描系统,其特征在于,进一步包括一保护装置,该保护装置包括一收纳盒和一屏蔽筒,所述位移调整装置固定在所述收纳盒内,所述收纳盒用于保护所述位移调整装置和屏蔽外界电磁干扰;所述屏蔽筒设置于所述收纳盒,用于屏蔽所述聚焦装置和收纳盒之间的电磁干扰。 8.如权利要求7所述的光电流扫描系统,其特征在于,所述收纳盒包括一可拆卸上盖,该上盖具有一通孔;所述屏蔽筒包括一环形片和一套筒,所述环形片设置于所述收纳盒上盖,所述环形片具有一开孔,所述套筒设置于所述环形片。 9.如权利要求8所述的光电流扫描系统,其特征在于,所述套筒包括第一空心圆柱和第二空心圆柱,该第二空心圆柱的外径小于所述第一空心圆柱的外径,在所述套筒的外表面形成一凸台,所述第二空心圆柱的外径小于所述环形片的开孔直径,所述第一空心圆柱的外径大于所述环形片的开孔直径,所述第二空心圆柱位于所述环形片的开孔内。 10.一种采用权利要求1-9中任一项光电流扫描系统测量光电流的方法,包括以下步骤: 所述激光发生装置发射激光; 激光通过所述聚焦装置聚焦到待测样品表面; 所述偏压供给装置给所述待测样品提供电压; 所述位移调整装置调整所述待测样品移动,使激光照射到待测样品表面的不同位置;同时所述测量装置测量所述待测样品的电流信号。 |
所属类别: |
发明专利 |