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一种用于测量晶体内部介观缺陷散射的激光层析扫描仪
| 专利名称： | 一种用于测量晶体内部介观缺陷散射的激光层析扫描仪 |
| 摘要： | 一种用于测量晶体内部介观缺陷散射的激光层析扫描仪。本激光层析扫描仪包含探测光源、样品架、测量光路、功率计、显微镜组、CCD探测器以及数据处理软件；其中测量光路要求探测光须完全贯穿样品，贯穿样品后剩余的激光由激光功率计接收；显微镜组在光路的侧面聚焦于样品内的探测光，并收集样品内部缺陷受探测光照射后散射的光，最后成像于CCD的光敏面，在数据处理软件中可以对缺陷的位置和大小进行标注，以及散斑强度的存储和分析；只需通过电机移动样品架来控制探测光在样品内的位置，即可获得样品内部不同层次的缺陷散射强度。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 福建;35 |
| 申请人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 发明人： | 王帅华;吴少凡;徐鸿锋 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-05-08T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-08-13T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910380849.9 |
| 公开号： | CN110118782A |
| 分类号： | G01N21/95(2006.01);G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 350002 福建省福州市杨桥西路155号 |
| 主权项： | 1.一种用于测量晶体内部介观缺陷散射的激光层析扫描仪，其特征在于，所述激光层析扫描仪包括探测光源、样品架、测量光路、功率计、显微镜组、CCD探测器以及数据处理软件；其中测量光路要求探测光须完全贯穿样品，贯穿样品后剩余的激光由激光功率计接收；显微镜组在光路的侧面聚焦于样品内的探测光，并收集样品内部缺陷受探测光照射后散射的光，最后成像于CCD的光敏面；只需通过电机移动样品架来控制探测光在样品内的位置，即可获得样品内部不同层次的缺陷散射强度。 2.根据权利要求1所述的一种用于测量晶体内部介观缺陷散射的激光层析扫描仪，其特征在于，所述测量方法属于轴向的线测量。 3.根据权利要求1所述的一种用于测量晶体内部介观缺陷散射的激光层析扫描仪，其特征在于，所述样品的两个轴向端面须要抛光。 4.根据权利要求1所述的一种用于测量晶体内部介观缺陷散射的激光层析扫描仪，其特征在于，所述样品的两个侧面须要抛光。 5.根据权利要求1所述的一种用于测量晶体内部介观缺陷散射的激光层析扫描仪，其特征在于，所述样品架为由电机控制的可以精密三维移动的调整架，最小步长为0.1mm。 6.根据权利要求1所述的一种用于测量晶体内部介观缺陷散射的激光层析扫描仪，其特征在于，所述探测光源功率范围为1～10mW。 7.根据权利要求1所述的一种用于测量晶体内部介观缺陷散射的激光层析扫描仪，其特征在于，所述显微镜组放大倍率调整范围为0.75x～5x。 8.根据权利要求1所述的一种用于测量晶体内部介观缺陷散射的激光层析扫描仪，其特征在于，所述CCD探测器时间分辨率为50ms。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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