专利名称: |
一种基于晶体介观缺陷测量仪的动态散斑检测方法 |
摘要: |
一种基于晶体介观缺陷测量仪的动态散斑检测方法。本方法将晶体介观缺陷测量仪的泵浦光源与探测光源通过会聚光路聚焦于样品的同一点上,泵浦激光加热样品内的测试点,剩余激光由激光功率计接收;测量光路要求探测光须完全贯穿样品,探测激光通过被加热的测试点,由于测试点的温度分布,缺陷散斑将发生变化;显微镜组在光路的侧面聚焦于样品内的测试点,并收集样品内部缺陷受探测光照射后散射的光,最后成像于CCD的光敏面;只需通过电机移动样品架来控制探测光在样品内的位置,即可获得样品内部不同测试点的缺陷散射强度。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
福建;35 |
申请人: |
中国科学院福建物质结构研究所 |
发明人: |
王帅华;吴少凡;徐鸿锋 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2019-05-08T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-11-12T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201910380863.9 |
公开号: |
CN110441266A |
分类号: |
G01N21/47(2006.01);G;G01;G01N;G01N21 |
申请人地址: |
350002福建省福州市杨桥西路155号 |
主权项: |
1.一种基于晶体介观缺陷测量仪的动态散斑检测方法,其特征在于,所述的动态散斑检测方法包含探测光源、泵浦光源、泵浦光路、样品架、测量光路、功率计、显微镜组、CCD探测器以及数据处理软件;其中泵浦光源与探测光源通过会聚光路聚焦于样品的同一点上,泵浦激光加热样品内的测试点,剩余激光由激光功率计接收;测量光路要求探测光须完全贯穿样品,探测激光通过被加热的测试点,由于测试点的温度分布,缺陷散斑将发生变化;显微镜组在光路的侧面聚焦于样品内的测试点,并收集样品内部缺陷受探测光照射后散射的光,最后成像于CCD的光敏面;只需通过电机移动样品架来控制探测光在样品内的位置,即可获得样品内部不同测试点的缺陷散射强度。 2.根据权利要求1所述的一种基于晶体介观缺陷测量仪的动态散斑检测方法,其特征在于,所述测量方法属于点测量。 3.根据权利要求1所述的一种基于晶体介观缺陷测量仪的动态散斑检测方法,其特征在于,所述样品的两个轴向端面须要抛光。 4.根据权利要求1所述的一种基于晶体介观缺陷测量仪的动态散斑检测方法,其特征在于,所述样品的两个侧面须要抛光。 5.根据权利要求1所述的一种基于晶体介观缺陷测量仪的动态散斑检测方法,其特征在于,所述样品架为由电机控制的可以精密三维移动的调整架,最小步长为0.1mm。 6.根据权利要求1所述的一种基于晶体介观缺陷测量仪的动态散斑检测方法,其特征在于,所述泵浦光源波长为1064nm。 7.根据权利要求1所述的一种基于晶体介观缺陷测量仪的动态散斑检测方法,其特征在于,所述泵浦光路的聚焦点光斑半径为20μm。 8.根据权利要求1所述的一种基于晶体介观缺陷测量仪的动态散斑检测方法,其特征在于,所述泵浦光路的聚焦点功率密度调整范围为0~1.6MW/cm2。 9.根据权利要求1所述的一种基于晶体介观缺陷测量仪的动态散斑检测方法,其特征在于,所述探测光源功率范围为1~10mW。 10.根据权利要求1所述的一种基于晶体介观缺陷测量仪的动态散斑检测方法,其特征在于,所述显微镜组放大倍率调整范围为0.75x~5x。 11.根据权利要求1所述的一种基于晶体介观缺陷测量仪的动态散斑检测方法,其特征在于,所述CCD探测器的帧率为30帧以上。 |
所属类别: |
发明专利 |