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原文传递一种砷化镓晶片切割方法

专利名称：	一种砷化镓晶片切割方法
摘要：	本发明公开了一种砷化镓晶片切割方法，包括以下步骤：步骤一：先使晶片切割机的刀片以（10～20）毫米/秒的进给速度对砷化镓晶圆片进行第一次切割，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的（25～35）%；步骤二：再使晶片切割机的刀片以（10～20）毫米/秒的进给速度继续对第一次切割后的砷化镓晶圆片进行第二次切割，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的（25～35）%；步骤三：最后使晶片切割机的刀片以（5～10）毫米/秒的进给速度继续对第二次切割后的砷化镓晶圆片进行第三次切割，直至刀片切透砷化镓晶圆片形成砷化镓晶片。本发明具有可靠性高且能提高砷化镓晶片成品率的优点。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	江苏;32
申请人：	苏州芯海半导体科技有限公司
发明人：	程进;陈龙
专利状态：	有效
申请日期：	2019-03-25T00:00:00+0800
发布日期：	2019-08-16T00:00:00+0800
申请号：	CN201910225988.4
公开号：	CN110126104A
代理机构：	南京苏科专利代理有限责任公司
代理人：	陈望坡;黄春松
分类号：	B28D5/00(2006.01);B;B28;B28D;B28D5
申请人地址：	215600 江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科技创业园B幢2层苏州芯海半导体科技有限公司
主权项：	1.一种砷化镓晶片切割方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：先使晶片切割机的刀片以（10～20）毫米/秒的进给速度对砷化镓晶圆片进行第一次切割，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的（25～35）%，在切割过程中，始终使用纯水对砷化镓晶圆片切割面及刀片进行冲洗冷却；步骤二：再使晶片切割机的刀片以（10～20）毫米/秒的进给速度继续对第一次切割后的砷化镓晶圆片进行第二次切割，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的（25～35）%；在切割过程中，始终使用纯水对砷化镓晶圆片切割面及刀片进行冲洗冷却；步骤三：最后使晶片切割机的刀片以（5～10）毫米/秒的进给速度继续对第二次切割后的砷化镓晶圆片进行第三次切割，直至刀片切透砷化镓晶圆片形成砷化镓芯片，在切割过程中，始终使用纯水对砷化镓晶圆片切割面及刀片进行冲洗冷却。 2.根据权利要求1所述的一种砷化镓晶片切割方法，其特征在于：在步骤一中，晶片切割机的刀片的进给速度为15毫米/秒，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的30%；在步骤二中，晶片切割机的刀片的进给速度为15毫米/秒，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的30%；在步骤三中，晶片切割机的刀片的进给速度为8毫米/秒。 3.根据权利要求1或2所述的一种砷化镓晶片切割方法，其特征在于：在刀片对砷化镓晶圆片进行第一次切割、第二次切割及第三次切割过程中，所使用的纯水的电阻率需大于12兆欧。
所属类别：	发明专利