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原文传递对增材制造材料的太赫兹检查

专利名称：	对增材制造材料的太赫兹检查
摘要：	本发明涉及对增材制造材料的太赫兹检查。本文公开了包括增材制造装置和相关的太赫兹检查装置的设备和系统，还公开了由该设备和系统制作并检查的部件及相关方法，太赫兹检查装置用于在材料沉积期间或之后立即实时检查增材沉积的层。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	美国;US
申请人：	波音公司
发明人：	T·T·洛;D·D·小帕默;N·R·史密斯;S·A·多雷尔
专利状态：	有效
申请日期：	2019-01-25T00:00:00+0800
发布日期：	2019-08-16T00:00:00+0800
申请号：	CN201910073702.5
公开号：	CN110132883A
代理机构：	北京三友知识产权代理有限公司
代理人：	张美芹;王小东
分类号：	G01N21/3581(2014.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	美国伊利诺伊州
主权项：	1.一种增材制造系统(40、50)，该增材制造系统包括：增材制造装置(43)，该增材制造装置包括材料沉积头(11)；以及太赫兹检查装置(12)，该太赫兹检查装置位于所述材料沉积头(11)附近；所述太赫兹检查装置(12)包括太赫兹探头(22、32)，所述太赫兹探头(22、32)包括热屏蔽罩(26、36)，所述热屏蔽罩基本上封装所述太赫兹探头(22、32)。 2.根据权利要求1所述的增材制造系统(40、50)，其中，所述增材制造装置(43)构造成形成增材制造的构型(13)，所述构型(13)包括多个单独沉积的材料层(13a、14、15)。 3.根据权利要求1所述的增材制造系统(40、50)，其中，所述太赫兹检查装置(12)构造成无损检查各个沉积的材料层(13a、14、15)。 4.根据权利要求1所述的增材制造系统(40、50)，其中，所述太赫兹检查装置(12)构造成在材料层的沉积期间基本上实时地检查各个沉积的材料层。 5.根据权利要求1所述的增材制造系统(40、50)，该增材制造系统还包括材料沉积室(41a、51a)，所述材料沉积室(41a、51a)由壳体(41、51)限定，并且所述材料沉积室(41a、51a)构造成容纳所述材料沉积头(11)和所述太赫兹检查装置(12)。 6.根据权利要求1所述的增材制造系统(40、50)，其中，所述材料沉积头(11)在距所述太赫兹检查装置(12)第一距离内取向，所述第一距离为约0.5”至约2.0”。 7.根据权利要求1所述的增材制造系统(40、50)，其中，所述太赫兹检查装置(12)包括单站太赫兹探头(22、32)或双站太赫兹探头(22、32)。 8.根据权利要求1所述的增材制造系统(40、50)，其中，所述太赫兹检查装置(12)包括透镜(27、37)，所述透镜(27、37)被选择成将太赫兹辐射聚焦到距所述太赫兹检查装置(12)预定距离。 9.一种用于增材制造增材制造的部件的方法(90、100)，该方法包括：从增材制造装置(43)的材料沉积头(11)单独沉积(92)多个材料层以形成所述部件，并且使用太赫兹能量无损检查(94)至少一个材料层，并且该方法还包括：将来自太赫兹检测装置(12)的太赫兹能量引导到位于所述至少一个材料层上或所述至少一个材料层内的位置(96)；接收来自所述至少一个材料层的太赫兹能量(97)；并且检测所述至少一个材料层的特征(98)。 10.根据权利要求9所述的方法，该方法还包括：使所述太赫兹检查装置(12)在所述材料沉积头(11)附近取向；在从约300°F至约450°F的温度下沉积(102)至少一个材料层；基本上与所述多个材料层的沉积同时，实时地无损检查至少一个材料层；并且其中，所述太赫兹检查装置(12)基本上被封装在热屏蔽罩中。
所属类别：	发明专利