专利名称: | 薄膜残余应力测量结构及其制作和测试方法 |
摘要: | 本发明公开了一种薄膜残余应力测量结构及其制作和测试方法,将任意形状的测试平板 1通过任意形状和位置的支撑锚点2悬置于基底3上,牺牲层4填充在测试平板1和基底3 之间,测试平板1的厚度、支撑锚点2的高度均与待测应力的器件一致。测试时,将待测应 力的器件和薄膜残余应力测量结构6置于腐蚀液7内,当测试平板1的自由端悬置长度δ达 到某一临界值时,其悬置部分将出现瞬间的屈曲变形,记录下该时刻的δ值以及屈曲变形模 态,以此分析计算得到测试平板1中的残余应力大小及其状态。本发明极大地节省了器件版 图空间,提 |
专利类型: | 发明专利 |
申请人: | 西北工业大学 |
发明人: | 苑伟政;虞益挺;乔大勇;梁 庆 |
专利状态: | 有效 |
申请日期: | 2007-01-12T00:00:00+0800 |
发布日期: | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: | CN200710017231.3 |
公开号: | CN101051018 |
分类号: | G01N13/00(2006.01)I |
申请人地址: | 710072陕西省西安市友谊西路127号 |
主权项: | 1、薄膜残余应力测量结构,包括一个测试平板1、一个支撑锚点2和牺牲层4,其特征 在于:测试平板1通过支撑锚点2悬置于基底3上,牺牲层4填充在测试平板1和基 底3之间;支撑锚点2的位置和形状任意,测试平板1的形状任意,测试平板1的厚 度与待测应力器件的薄膜厚度一致,支撑锚点2的高度与待测应力器件的锚点高度一 致。 |
所属类别: | 发明专利 |