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原文传递 薄膜残余应力测量结构及其制作和测试方法
专利名称: 薄膜残余应力测量结构及其制作和测试方法
摘要: 本发明公开了一种薄膜残余应力测量结构及其制作和测试方法,将任意形状的测试平板 1通过任意形状和位置的支撑锚点2悬置于基底3上,牺牲层4填充在测试平板1和基底3 之间,测试平板1的厚度、支撑锚点2的高度均与待测应力的器件一致。测试时,将待测应 力的器件和薄膜残余应力测量结构6置于腐蚀液7内,当测试平板1的自由端悬置长度δ达 到某一临界值时,其悬置部分将出现瞬间的屈曲变形,记录下该时刻的δ值以及屈曲变形模 态,以此分析计算得到测试平板1中的残余应力大小及其状态。本发明极大地节省了器件版 图空间,提
专利类型: 发明专利
申请人: 西北工业大学
发明人: 苑伟政;虞益挺;乔大勇;梁 庆
专利状态: 有效
申请日期: 2007-01-12T00:00:00+0800
发布日期: 2019-01-01T00:00:00+0800
申请号: CN200710017231.3
公开号: CN101051018
分类号: G01N13/00(2006.01)I
申请人地址: 710072陕西省西安市友谊西路127号
主权项: 1、薄膜残余应力测量结构,包括一个测试平板1、一个支撑锚点2和牺牲层4,其特征 在于:测试平板1通过支撑锚点2悬置于基底3上,牺牲层4填充在测试平板1和基 底3之间;支撑锚点2的位置和形状任意,测试平板1的形状任意,测试平板1的厚 度与待测应力器件的薄膜厚度一致,支撑锚点2的高度与待测应力器件的锚点高度一 致。
所属类别: 发明专利
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