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有正反E字形辐射槽外导体漏泄同轴及其制作方法
| 专利名称： | 有正反E字形辐射槽外导体漏泄同轴及其制作方法 |
| 摘要： | 本发明涉及一种有正反E字形辐射槽外导体漏泄同轴及其制作方法。本发 明提出了在外导体用的铜带上，冲出有正反E字形周期性辐射槽的工艺，并将 有正反E字形辐射槽的铜带纵包成形漏泄同轴的外导体，该漏泄同轴具有相应 尺寸的内导体、物理发泡聚乙烯绝缘层和聚乙烯护层。由有正反E字形辐射槽 外导体所组成的漏泄同轴，与高速移动体天线的耦合损耗波动范围很小，具有 很高的实用价值。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 申请人： | 北京交通大学 |
| 发明人： | 延凤平;王均宏;简水生;曹继红;陈 勇 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2006-12-28T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN200610169734.8 |
| 公开号： | CN1974289 |
| 分类号： | B61L1/18(2006.01)I |
| 申请人地址： | 100044北京市西直门外上园村3号 |
| 主权项： | 权利要求书 1.一种有正反E字形辐射槽外导体漏泄同轴，其特征在于漏泄同轴外导 体(3)上设有正反E字形辐射槽。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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