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原文传递原位电化学反应观测芯片

专利名称：	原位电化学反应观测芯片
摘要：	本实用新型公开了一种原位电化学反应观测芯片及其应用。原位电化学反应观测芯片包括基底以及设置于基底上表面的第一电极和第二电极，第一电极具有开口部，至少所述第二电极的一端部设于所述开口部内，且所述第二电极与第一电极之间无直接接触，至少在设置于第一电极开口部内的第二电极具有一个以上贯穿所述第二电极的观测窗口，所述观测窗口还向下连续贯穿所述基底的上表面和下表面，以及，在所述观测窗口上覆盖有具有微通孔的薄膜。本实用新型采用性质独特的低应力氮化硅薄膜覆盖原来镂空的观测窗口，并在观测窗口上方的氮化硅薄膜上制作了微米级和/或纳米级的通孔阵列，这一改进使得芯片在实际使用中具有了更大的优势。
专利类型：	实用新型
国家地区组织代码：	江苏;32
申请人：	南通盟维芯片科技有限公司
发明人：	张跃钢;赵美珍;周莉莎;李洪飞
专利状态：	有效
申请日期：	2019-01-18T00:00:00+0800
发布日期：	2019-09-20T00:00:00+0800
申请号：	CN201920090064.3
公开号：	CN209416966U
代理机构：	南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：	王茹;王锋
分类号：	G01N27/26(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	226000 江苏省南通市崇川区世纪大道369号8楼803室、804室
主权项：	1.一种原位电化学反应观测芯片，包括基底以及设置于基底上表面的第一电极和第二电极，所述第一电极具有开口部，至少所述第二电极的一端部设于所述开口部内，且所述第二电极与第一电极之间无直接接触，其特征在于：至少在设置于第一电极开口部内的第二电极具有一个以上贯穿所述第二电极的观测窗口，所述观测窗口还向下连续贯穿所述基底的上表面和下表面，以及，在所述观测窗口上覆盖有具有微通孔的薄膜。 2.根据权利要求1所述的原位电化学反应观测芯片，其特征在于：所述薄膜的材质包括低应力氮化硅、氮化硼、石墨烯中的任意一种或两种以上的组合。 3.根据权利要求1或2所述的原位电化学反应观测芯片，其特征在于：所述薄膜的厚度为1nm-5μm。 4.根据权利要求1所述的原位电化学反应观测芯片，其特征在于：所述第二电极具有复数个观测窗口。 5.根据权利要求1所述的原位电化学反应观测芯片，其特征在于：所述薄膜具有由复数个微通孔排列形成的微通孔阵列。 6.根据权利要求5所述的原位电化学反应观测芯片，其特征在于：所述微通孔的形状包括圆形。 7.根据权利要求5或6所述的原位电化学反应观测芯片，其特征在于：所述微通孔的孔径为1nm-100μm。 8.根据权利要求1所述的原位电化学反应观测芯片，其特征在于包括依次形成在所述基底上表面的上的第一薄膜层和电极层，所述电极层包括所述第一电极和第二电极，所述具有微通孔的薄膜由位于观测窗口区域的第一薄膜层形成。 9.根据权利要求8所述的原位电化学反应观测芯片，其特征在于还包括：形成在所述基底下表面的第二薄膜层，所述观测窗口贯穿所述第二薄膜层。 10.根据权利要求9所述的原位电化学反应观测芯片，其特征在于：所述第一薄膜和第二薄膜层的材质相同。 11.根据权利要求1所述的原位电化学反应观测芯片，其特征在于：所述基底包括P型、N型或本征硅片。 12.根据权利要求1所述的原位电化学反应观测芯片，其特征在于：在所述开口部内，第二电极的侧边缘部与所述开口部的内周缘部之间的距离远大于第二电极的前端缘部与所述开口部的内周缘部之间的距离。 13.根据权利要求12所述的原位电化学反应观测芯片，其特征在于：第二电极的侧边缘部与所述开口部的内周缘部之间的距离大于等于500 μm。 14.根据权利要求13所述的原位电化学反应观测芯片，其特征在于：第二电极的前端缘部与所述开口部的内周缘部之间的距离为1μm-100μm。 15.根据权利要求1所述的原位电化学反应观测芯片，其特征在于：所述观测窗口垂直贯穿所述第二电极，且所述观测窗口具有梯形截面。 16.根据权利要求1所述的原位电化学反应观测芯片，其特征在于：所述第二电极整体分布于所述开口部内。
所属类别：	实用新型