专利名称: |
半导体冷冲系统 |
摘要: |
本实用新型公开了一种半导体冷冲系统,包括制冷管,制冷管在液体的流动方向上设置有多组半导体制冷结构。半导体制冷结构包括第一半导体和第二半导体,第一半导体和第二半导体分别设置在制冷管的两侧且第一半导体和第二半导体通电后产生的低温面和制冷管接触。第一半导体和第二半导体远离制冷管的一侧设置有散热管,散热管和第一半导体和第二半导体接触,散热管和散热水排风机、冷却水箱形成连通的流路。本实用新型实施方式中的半导体冷冲系统利用半导体的帕尔帖效应,为切削等操作提供温度较低的液体,通过循环流动带走石英、玻璃、碳化硅、氧化铝等陶瓷制品加工时刀具高速运动产生的热量,提高了加工的精确度。 |
专利类型: |
实用新型 |
国家地区组织代码: |
天津;12 |
申请人: |
天津职业技术师范大学 |
发明人: |
李占杰;黄旭栋;靳刚 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2018-10-25T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-09-20T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201821743133.8 |
公开号: |
CN209409008U |
代理机构: |
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) |
代理人: |
王闯;葛莉华 |
分类号: |
B28D7/02(2006.01);B;B28;B28D;B28D7 |
申请人地址: |
300222 天津市津南区大沽南路1310号 |
主权项: |
1.一种半导体冷冲系统,其特征在于,包括制冷管,所述制冷管在液体的流动方向上设置有多组半导体制冷结构, 所述半导体制冷结构包括第一半导体和第二半导体,所述第一半导体和所述第二半导体分别设置在所述制冷管的两侧且所述第一半导体和所述第二半导体通电后产生的低温面和所述制冷管接触, 所述第一半导体和所述第二半导体远离所述制冷管的一侧设置有散热管,所述散热管和所述第一半导体和所述第二半导体接触,所述散热管和散热水排风机、冷却水箱形成连通的流路。 2.根据权利要求1所述的半导体冷冲系统,其特征在于,所述制冷管开设有进液口和出液口,所述半导体制冷结构位于所述进液口和所述出液口之间。 3.根据权利要求2所述的半导体冷冲系统,其特征在于,所述出液口处设置有温控控制柜,所述温控控制柜电性连接所述半导体制冷结构。 4.根据权利要求1所述的半导体冷冲系统,其特征在于,所述制冷管中设置有迷宫式流道。 5.根据权利要求1所述的半导体冷冲系统,其特征在于,多组所述半导体制冷结构间隔设置。 6.根据权利要求1所述的半导体冷冲系统,其特征在于,所述第一半导体为电子型半导体,所述第二半导体为空穴型半导体。 7.根据权利要求1所述的半导体冷冲系统,其特征在于,所述散热管内设置有迷宫式流道。 |
所属类别: |
实用新型 |