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原文传递霍尔测量结构

专利名称：	霍尔测量结构
摘要：	本实用新型提供一种霍尔测量结构，包括衬底、设置于衬底上的半导体层、及设置于半导体层上的片电阻感应部、磁场感应部。半导体层具有图案，图案包括电感区、4个焊垫对应区、X字型区、及欧姆接触道，电感区位于X字型区的中心，焊垫对应区两两以电感区为中心，排布在X字型区的对角处；片电阻感应部包括4个焊垫、及待测空间，在第一平面上，每一焊垫覆盖半导体层的每一焊垫对应区；磁场感应部包括待测空间、2个测试垫、及与其中之一测试垫连接的线圈结构，线圈结构环设待测空间的周围，在第一平面上，待测空间曝露出底下的半导体层的电感区；另一测试垫、线圈结构与半导体层的欧姆接触道接触。
专利类型：	实用新型
国家地区组织代码：	中国台湾;71
申请人：	捷苙科技股份有限公司
发明人：	大藤彻;谢明达
专利状态：	有效
申请日期：	2018-12-05T00:00:00+0800
发布日期：	2019-10-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201822034082.8
公开号：	CN209460196U
代理机构：	上海申新律师事务所
代理人：	董科
分类号：	G01N27/72(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	中国台湾苗粟县竹南镇科义街38号二楼
主权项：	1.一种霍尔测量结构，其特征在于，包括：衬底；半导体层，设置于所述衬底上，所述半导体层具有图案，所述图案包括电感区、4个焊垫对应区、X字型区、及欧姆接触道，所述电感区位于所述X字型区的中心，所述焊垫对应区两两以所述电感区为中心，排布在所述X字型区的对角处；片电阻感应部，设置于所述半导体层上，包括4个焊垫、及待测空间，在第一平面上，每一所述焊垫覆盖所述半导体层的每一所述焊垫对应区；以及磁场感应部，设置于所述半导体层上，包括所述待测空间、2个测试垫、及与其中之一所述测试垫连接的线圈结构，所述线圈结构环设所述待测空间的周围，在所述第一平面上，所述待测空间曝露出底下的所述半导体层的所述电感区，另一所述测试垫、所述线圈结构与所述半导体层的所述欧姆接触道接触。 2.如权利要求1所述的霍尔测量结构，其特征在于，所述片电阻感应部与所述磁场感应部是在同一平面上，在所述平面上，每一所述测试垫设置于2个所述焊垫之间，并分别在所述线圈结构的两侧。 3.如权利要求1所述的霍尔测量结构，其特征在于，在第二平面上，所述半导体层的所述电感区为长边是100～2000μm、宽边是5～500μm的长方形，其中所述第二平面是由X轴与Y轴所构成的平面。 4.如权利要求1所述的霍尔测量结构，其特征在于，所述半导体层的所述电感区与所述待测空间的大小相同。 5.如权利要求1所述的霍尔测量结构，其特征在于，对所述片电阻感应部的所述焊垫通以电压，以测得所述半导体层的所述电感区的片电阻。 6.如权利要求1所述的霍尔测量结构，其特征在于，对所述片电阻感应部的所述焊垫或所述磁场感应部的所述测试垫通以电流，以取得所述半导体层的所述电感区的霍尔电压。 7.如权利要求1所述的霍尔测量结构，其特征在于，对所述磁场感应部的所述测试垫通以电流，以生成所述半导体层的所述电感区的磁场向量。 8.如权利要求7所述的霍尔测量结构，其特征在于，所述磁场感应部的所述线圈结构与所述半导体层的所述欧姆接触道电性连接。 9.如权利要求1、2或8所述的霍尔测量结构，其特征在于，所述线圈结构在所述平面上的投影是回字形。 10.如权利要求1所述的霍尔测量结构，其特征在于，所述半导体层为氮化铝镓、氮化铟镓、或氮化铝镓铟。
所属类别：	实用新型