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KDP类晶体生长槽内溶液过饱和度实时测量系统及其测量方法
| 专利名称： | KDP类晶体生长槽内溶液过饱和度实时测量系统及其测量方法 |
| 摘要： | 一种KDP类晶体生长槽内溶液过饱和度实时测量系统及其测量方法，包括晶体生长槽、位于所述的晶体生长槽内部的载晶架，所述的载晶架通过载晶架连杆与位于所述的晶体生长槽外部的旋转电机相连，所述的载晶架连杆上安装有编码器，所述的编码器与计算机通信连接，晶体生长槽的侧壁开有观察窗，所述的载晶架连杆上安装有环形压力传感器，所述的环形压力传感器与所述的计算机通信连接。本发明可以准确得到晶体生长槽内实时的溶液过饱和度，有利于科研人员掌握KDP类晶体的生长规律，优化KDP类晶体生长工艺和提高晶体质量，助力ICF装置的顺利完工。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 上海;31 |
| 申请人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 发明人： | 齐红基;陈端阳;邵建达;范永涛;王斌 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-07-02T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-10-08T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910590546.X |
| 公开号： | CN110308089A |
| 代理机构： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) |
| 代理人： | 张宁展 |
| 分类号： | G01N19/00(2006.01);G;G01;G01N;G01N19 |
| 申请人地址： | 201800 上海市嘉定区清河路390号 |
| 主权项： | 1.一种KDP类晶体生长槽内溶液过饱和度实时测量系统，包括晶体生长槽(3)、位于所述的晶体生长槽(3)内部的载晶架(1)，所述的载晶架(1)通过载晶架连杆(4)与位于所述的晶体生长槽(3)外部的旋转电机(5)相连，所述的载晶架连杆(4)上安装有编码器(6)，所述的编码器(6)与计算机(8)通信连接，晶体生长槽(3)的侧壁开有观察窗(9)，其特征在于，所述的载晶架连杆(4)上还安装有环形压力传感器(7)，该环形压力传感器(7)与所述的计算机(8)通信连接，可以在所述的载晶架连杆(4)停止转动的时候测出所述的载晶架连杆(4)所承受的拉力，并上传到所述的计算机(8)。 2.利用权利要求1所述的KDP类晶体生长槽内溶液过饱和度实时测量系统对KDP类晶体生长槽内溶液的过饱和度进行实时测量的方法，其特征在于该方法包括如下步骤： 1)在所述的KDP类晶体(2)的生长开始之前，保持所述的载晶架连杆(4)停止转动，所述的环形压力传感器(7)测出载晶架连杆(4)所承受的拉力F0，并上传到所述的计算机(8)； 2)在所述的KDP类晶体(2)的生长过程中，所述的计算机(8)通过所述的编码器(6)实时地识别所述的载晶架连杆(4)的旋转状态，一旦所述的载晶架连杆(4)停止转动，所述的计算机(8)发送测试指令给所述的环形压力传感器(7)； 3)所述的环形压力传感器(7)在接收到所述的计算机(8)发送的测试指令后，测出载晶架连杆(4)所承受的拉力Fx，并上传到所述的计算机(8)； 4)所述的计算机(8)根据浮力公式计算所述的KDP类晶体(2)实时的体积V和质量m，公式如下： V＝(Fx-F0)/(ρ0*g)； m＝V*ρx； 式中，ρ0为溶液的密度，g为重力加速度，ρx为KDP类晶体(2)的密度； 5)计算晶体生长槽(3)内溶液实时的过饱和度σ，公式如下： σ＝(C-C0)/C0 式中，C0为生长槽内的平衡浓度，C＝(m0-m)/M为晶体生长槽内的实际浓度，其中m0为晶体生长开始前晶体生长槽(3)中溶质的总质量，M为晶体生长槽(3)内溶液的总质量。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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