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（D）KDP晶体体损伤性能高精度测量装置及测量方法
| 专利名称： | （D）KDP晶体体损伤性能高精度测量装置及测量方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种(D)KDP晶体体损伤性能高精度测量装置及测量方法，涉及(D)KDP晶体体损伤测量技术领域，本发明先通过层析的方法获得高功率纳秒激光脉冲作用后晶体体损伤点基础数据，解决损伤点重复统计、背景光消除、二值化等问题并采用图像矩算法求出每个散射点的质心后，再通过重构算法获得体损伤点三维分布，进而可以高精度获得晶体体损伤密度ppd、体损伤点几何尺寸分布pps和晶体体损伤点三维分布等3个体损伤表征参数，本发明具有测量精度高、晶体体损伤表征更加全面的优点。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 四川;51 |
| 申请人： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 发明人： | 郑垠波;巴荣声;丁磊;周信达;李杰;徐宏磊;李亚军;那进;张霖;刘勇;石振东;马骅;刘昂;徐凯源;万道明;白金玺 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201910085710.1 |
| 公开号： | CN109540926A |
| 代理机构： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 |
| 代理人： | 李春芳 |
| 分类号： | G01N21/958(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 621900 四川省绵阳市游仙区绵山路64号 |
| 主权项： | 1.一种(D)KDP晶体体损伤性能高精度测量装置，包括激光器(1)、第一反射镜(3)、第二反射镜(2)、能量计(4)、偏振片(5)、1/2波片(6)、聚焦透镜(7)、光楔(8)、CCD相机(15)、光电管(16)、示波器(17)、三维平移台(10)、环形光源(9)、宽带偏振片(13)、显微镜(14)、吸收陷阱(12)和PC电脑(18)，其特征在于：还包括二维平移台(11)以及分别与二维平移台(11)和三维平移台(10)连接的两台平移台驱动控制器，所述三维平移台(10)的最小纵向移动距离小于显微镜(14)景深，二维平移台(11)的横向移动距离大于待测晶体样品的横向几何尺寸，待测晶体样品柔性放置于环形光源(9)内，环形光源(9)固定于三维平移台(10)上，显微镜(14)放置于二维平移台(11)上并与待测晶体样品位置适配，光电管(16)与示波器(17)连接，激光器(1)、能量计(4)、CCD相机(15)、显微镜(14)以及两平移台驱动控制器分别与PC电脑(18)连接；激光器(1)产生的纳秒激光脉冲经第一反射镜(3)和第二反射镜(2)调整传播方向后，射入偏振片(5)，一部分纳秒激光脉冲在经过第一反射镜(3)时透射至能量计(4)，通过能量计(4)监视损伤测试能量；射入偏振片(5)的纳秒激光脉冲依次经过1/2波片(6)和聚焦透镜(7)后入射至光楔(8)，一部分脉冲由光楔(8)第一个反射面反射至CCD相机(15)用于共轭测量靶面光斑近场分布，一部分脉冲由光楔(8)第二个反射面反射至光电管(16)用于测量脉冲时间波形，剩下一部分脉冲透过光楔(8)入射至待测晶体样品。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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