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一种基于典型缺陷特征的KDP晶体损伤阈值预测方法
| 专利名称： | 一种基于典型缺陷特征的KDP晶体损伤阈值预测方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于典型缺陷特征的KDP晶体损伤阈值预测方法，实施步骤包括：预先建立KDP晶体各种典型表面缺陷的光热弱吸收水平与损伤阈值的对应关系；针对待测KDP晶体的表面缺陷进行特征检测确定典型缺陷类型；针对典型表面缺陷区域进行光热弱吸收测量实验得到典型表面缺陷的光热弱吸收值，将典型缺陷类型、典型表面缺陷的光热弱吸收值代入KDP晶体各种典型缺陷的光热弱吸收水平与损伤阈值的对应关系，得到典型表面缺陷的损伤阈值。本发明无损KDP晶体即可进行损伤阈值估计，可避免损伤阈值测试方法的缺陷，不会对晶体造成损伤，提高晶体的利用率，节省加工成本，还能够提升KDP晶体的表面缺陷、用于指导KDP晶体加工工艺。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 湖南;43 |
| 申请人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 发明人： | 石峰;肖琪;戴一帆;彭小强;胡皓;铁贵鹏 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201711025346.7 |
| 公开号： | CN107884423A |
| 代理机构： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 |
| 代理人： | 谭武艺 |
| 分类号： | G01N21/958(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/958 |
| 申请人地址： | 410073 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号 |
| 主权项： | 一种基于典型缺陷特征的KDP晶体损伤阈值预测方法，其特征在于实施步骤包括：1)预先建立KDP晶体各种典型表面缺陷的光热弱吸收水平与损伤阈值的对应关系；2)针对待测KDP晶体的表面缺陷进行特征检测，确定的表面缺陷的典型缺陷类型；3)针对待测KDP晶体的典型表面缺陷区域进行光热弱吸收测量实验，得到典型表面缺陷的光热弱吸收值，将典型缺陷类型、典型表面缺陷的光热弱吸收值代入KDP晶体各种典型缺陷的光热弱吸收水平与损伤阈值的对应关系，得到典型表面缺陷的损伤阈值。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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