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大口径KDP晶体元件表面激光损伤的微铣削修复工艺方法
| 专利名称： | 大口径KDP晶体元件表面激光损伤的微铣削修复工艺方法 |
| 摘要： | 大口径KDP晶体元件表面激光损伤的微铣削修复工艺方法，属于光学材料与光学元件修复加工技术领域。为了解决软脆KDP晶体元件表面激光损伤点修复时修复轮廓单一、修复表面质量差、效率低等问题。根据修复轮廓的控制方程建立修复点的几何模型；选取加工刀具；创建粗加工修复工序；创建精加工修复工序；将由刀路轨迹计算获得的刀路源文件转换为通用的数控加工NC代码，将NC代码转换为修复机床控制器可识别的加工程序文件；利用粗、精加工NC代码在KDP晶体修复机床上进行精密微铣削修复实验，实现不同激光“友好型”修复轮廓的高效、高质量加工。能延缓晶体元件表面激光损伤点的增长行为，提高晶体元件抗激光损伤能力并延缓其使用寿命。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 黑龙江;23 |
| 申请人： | 哈尔滨工业大学 |
| 发明人： | 程健;陈明君;马文静;杨浩;刘启;赵林杰;王廷章;刘志超;王健;许乔 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810520541.5 |
| 公开号： | CN108705692A |
| 代理机构： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 |
| 代理人： | 杨立超 |
| 分类号： | B28D5/02(2006.01)I;B28D5/00(2006.01)I;B;B28;B28D;B28D5;B28D5/02;B28D5/00 |
| 申请人地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |
| 主权项： | 1.一种大口径KDP晶体元件表面激光损伤的微铣削修复工艺方法，其特征在于：所述方法的实现过程为：步骤1.根据KDP晶体表面激光损伤程度与损伤点形貌特征设计合适的激光“友好型”损伤修复轮廓，根据修复轮廓的控制方程建立修复点的几何模型；步骤2.根据修复轮廓的特点与KDP晶体修复表面质量要求，选取并定义一种精密微修复用的加工刀具；步骤3.以已建立的修复轮廓模型为基础，根据粗加工阶段快速去除损伤点的工艺原则，规划微铣削修复时初始粗加工走刀轨迹，创建粗加工修复工序；步骤4.在粗加工修复轮廓的基础上，以保证修复轮廓精度和表面质量为原则，选取精加工修复时刀具轨迹驱动方式和工艺参数，规划精加工修复走刀轨迹，创建精加工修复工序；步骤5.将由刀路轨迹计算获得的刀路源文件转换为通用的数控加工NC代码，将NC代码转换为修复机床控制器可识别的加工程序文件，并对其进行空载试切仿真实验以验证是否满足加工刀轨安全性和准确性要求，若是，执行步骤6；否则，对粗加工和精加工走刀轨迹和工艺参数进行调整，返回步骤3；步骤6.利用已验证的粗、精加工NC代码，在KDP晶体修复机床上进行精密微铣削修复实验，实现不同激光“友好型”修复轮廓的高效、高质量加工。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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