详情

原文传递导电薄膜抗弯折性能测量方法及测量装置

专利名称：	导电薄膜抗弯折性能测量方法及测量装置
摘要：	本发明提供了一种导电薄膜抗弯折性能测量方法及测量装置，该方法包括：将两端固定的待测导电薄膜放入一磁场内，向所述待测导电薄膜通电，使所述待测导电薄膜受到安培力，并对所述待测导电薄膜两端的电压进行测量；改变所述待测导电薄膜受到的安培力，直至所述待测导电薄膜两端的电压发生突变；采集所述待测导电薄膜两端电压发生突变时刻的磁感应强度及电流值，并根据采集到的所述磁感应强度及所述电流值得出所述待测导电薄膜的抗弯折性能。通过该测量方法，能够较为准确地对导电薄膜的抗弯折性能进行测量。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	浙江;33
申请人：	浙江清华柔性电子技术研究院
发明人：	冯雪;彭祖军;陈颖
专利状态：	有效
申请日期：	2019-04-11T00:00:00+0800
发布日期：	2019-08-23T00:00:00+0800
申请号：	CN201910290826.9
公开号：	CN110161081A
代理机构：	上海波拓知识产权代理有限公司
代理人：	李萌
分类号：	G01N27/04(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	314000 浙江省嘉兴市南湖区亚太路906号17号楼
主权项：	1.一种导电薄膜抗弯折性能测量方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：将两端固定的待测导电薄膜放入一磁场内，向所述待测导电薄膜通电，使所述待测导电薄膜受到安培力，并对所述待测导电薄膜两端的电压进行测量；改变所述待测导电薄膜受到的安培力，直至所述待测导电薄膜两端的电压发生突变；采集所述待测导电薄膜两端电压发生突变时刻的磁感应强度及电流值，并根据采集到的所述磁感应强度及所述电流值得出所述待测导电薄膜的抗弯折性能。 2.根据权利要求1所述的导电薄膜抗弯折性能测量方法，其特征在于：所述导电薄膜抗弯折性能包括耐弯折应力值；在测量耐弯折应力值时，该方法包括如下步骤：将两端固定的所述待测导电薄膜放入所述磁场内，向所述待测导电薄膜通电，使所述待测导电薄膜受到安培力，并对所述待测导电薄膜两端的电压进行测量；保持安培力的方向不变，同时增大安培力的值，直至所述待测导电薄膜两端的电压突然增大；采集所述待测导电薄膜的电压突然增大时刻，磁场内的磁感应强度及通过所述待测导电薄膜的电流值，并根据公式得出所述耐弯折应力值，其中，σmax为耐弯折应力，L为标距段的长度，W表示待测导电薄膜的宽度，H表示待测导电薄膜材料的厚度，I表示待测导电薄膜的电流，B表示磁感应强度。 3.根据权利要求2所述的导电薄膜抗弯折性能测量方法，其特征在于：该方法还包括：保持电流值不变的情况下，并调节磁感应强度，或，保持磁感应强度不变，并调节电流值，或，调节电流值及磁感应强度，以保持安培力的方向不变，同时增大安培力的值。 4.根据权利要求1所述的导电薄膜抗弯折性能测量方法，其特征在于：所述导电薄膜抗弯折性能包括耐疲劳应力值，在测量耐疲劳应力值时，该方法包括如下步骤：设定预定弯折次数区间及预定安培力；将两端固定的所述待测导电薄膜放入所述磁场内，向所述待测导电薄膜通电，使所述待测导电薄膜受到安培力，同时对所述待测导电薄膜两端的电压进行测量；周期性地向待测导电薄膜施加等同大小及相同方向的所述预定安培力，并判断所述待测导电薄膜两端的电压发生突变时，所述待测导电薄膜的实际弯折次数是否落入所述预定弯折次数区间内；当所述实际弯折次数落于所述预定弯折次数区间内时，以该所述预定安培力得出所述耐疲劳应力值。 5.根据权利要求4所述的导电薄膜抗弯折性能测量方法，其特征在于：该方法还包括：当所述实际弯折次数小于所述预定弯折次数区间的最小值时，选定新的预定安培力，并使所述新的预定安培力小于原所述预定安培力，并以所述新的预定安培力重新进行耐疲劳应力测试；当所述实际弯折次数大于所述预定弯折次数区间的最大值时，选定新的预定安培力，并使所述新的预定安培力大于原所述预定安培力，并以所述新的预定安培力重新进行耐疲劳应力测试；当所述实际弯折次数落于所述预定弯折次数区间内时，通过该预定安培力对应的磁感应强度及电流值通过公式得出所述耐疲劳应力值，其中σfatigue为耐疲劳应力值，L为标距段的长度，W表示待测导电薄膜的宽度，H表示待测导电薄膜材料的厚度，I表示待测导电薄膜的电流，B表示磁感应强度。 6.根据权利要求4所述的导电薄膜抗弯折性能测量方法，其特征在于：在确定所述预定安培力时，先求得耐弯折应力值，然后在所述耐弯折应力值的基础上增加一折减系数，通过公式及得到所述预定安培力，其中σfatigue预为预定耐疲劳应力值，σmax为耐弯折应力值，SN为折减系数，SN大于1，I预为预定安培力，B预为预定磁感应强度。 7.根据权利要求6所述的导电薄膜抗弯折性能测量方法，其特征在于：在求得所述耐弯折应力值时，该方法包括：将两端固定的所述待测导电薄膜放入所述磁场内，向所述待测导电薄膜通电，使所述待测导电薄膜受到安培力，并对所述待测导电薄膜两端的电压进行测量；保持安培力的方向不变，同时增大安培力的值，直至所述待测导电薄膜的电压突然增大；采集所述待测导电薄膜的电压突然增大时刻，磁场内的磁感应强度及通过所述待测导电薄膜的电流值，并根据公式得出所述耐弯折应力值，其中，σmax为耐弯折应力，L为标距段的长度，W表示待测导电薄膜的宽度，H表示待测导电薄膜材料的厚度，I表示待测导电薄膜的电流，B表示磁感应强度。 8.根据权利要求4述的导电薄膜抗弯折性能测量方法，其特征在于：该方法还包括：施加恒定的预定磁感应强度的前提下，周期性地向所述待测导电薄膜施加同方向的预定电流；或在施加恒定的预定电流的前提下，周期性地向所述待测导电薄膜施加同方向的预定磁感应强度的磁场；或通过周期性的电流及磁感应强度的综合作用，以周期性地向待测导电薄膜施加所述预定安培力。 9.根据权利要求4述的导电薄膜抗弯折性能测量方法，其特征在于：在进行所述待测导电薄膜实际弯折次数的计算时，该方法包括如下步骤：设定预定安培力的施加频率，然后采集当所述待测导电薄膜两端的电压发生突变时所用的时间；通过公式N＝ft得到所述待测导电薄膜的实际弯折次数，其中N为待测导电薄膜弯折次数，f为预定安培力的施加频率，t为待测导电薄膜两端电压发生突变时所用的时间。 10.根据权利要求1述的导电薄膜抗弯折性能测量方法，其特征在于：该方法还包括，当将两端固定的所述待测导电薄膜放入所述磁场内时，所述磁场内的磁场线的方向与所述待测导电薄膜的板面所在的平面及所述待测导电薄膜的短边所在的直线平行，且与所述待测导电薄膜的长边所在的直线垂直。 11.根据权利要求1述的导电薄膜抗弯折性能测量方法，其特征在于：该方法还包括，对所述待测导电薄膜的工作环境进行模拟，并将所述待测导电薄膜设置于模拟工作环境内。 12.一种导电薄膜抗弯折性能测量方法，其特征在于：获取导电薄膜在磁场内的发生电压突变时的磁感应强度及电流；其中，通过改变安培力获得所述电压突变；根据所述磁感应强度及电流计算耐弯折应力值和/或耐疲劳应力值。 13.一种导电薄膜抗弯折性能测量装置，其特征在于：包括磁场发生器、试样夹具、电源、电压检测单元及控制单元，所述磁场发生器用于产生磁场，所述试样夹具用于固定待测导电薄膜的两端，并将所述待测导电薄膜固定于所述磁场发生器内，所述电源用于对所述待测导电薄膜施加电流，所述电源检测单元实时检测所述待测导电薄膜两端的电压，并将该电压传递至所述控制单元，所述控制单元接收所述电压检测单元检测到的电压，并在所述电压检测单元检测到的电压发生突变时，采集所述待测导电薄膜内的电流及磁场发生器产生的磁感应强度。 14.如权利要求13所述的导电薄膜抗弯折性能测量装置，其特征在于：所述控制单元通过采集到的所述待测导电薄膜两端电压发生突变时刻的电流及磁感应强度，结合所述待测导电薄膜两端被所述试样夹具夹持位置之间的长度，以及所述待测导电薄膜的宽度及厚度，得到所述待测导电薄膜的耐弯折应力。 15.如权利要求13所述的导电薄膜抗弯折性能测量装置，其特征在于：所述控制单元通过所述电源对所述待测导电薄膜内的电流大小及施加周期进行控制，和/或通过所述磁场发生器对磁感应强度的大小及施加周期进行控制，以周期性地向所述待测导电薄膜施加安培力。 16.如权利要求13所述的导电薄膜抗弯折性能测量装置，其特征在于：所述控制单元检测从试验开始时刻至所述待测导电薄膜两端电压发生突变时刻所用的时间，并结合电流或磁场施加频率，以得到所述待测导电薄膜的实际弯折次数。 17.如权利要求13所述的导电薄膜抗弯折性能测量装置，其特征在于：当所述试样夹具夹持于所述待测导电薄膜的两端，并将所述待测导电薄膜设置于所述磁场发生器内时，所述磁场内的磁场线的方向与所述待测导电薄膜的板面所在的平面及所述待测导电薄膜的短边所在的直线平行，且与所述待测导电薄膜的长边所在的直线垂直。 18.如权利要求13所述的导电薄膜抗弯折性能测量装置，其特征在于：所述导电薄膜抗弯折性能测量装置还包括用于对环境进行模拟的环境控制腔室，所述试样夹具将所述待测导电薄膜固定于所述环境控制腔室内。
所属类别：	发明专利