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测量薄膜掺杂比例的装置及测量方法
| 专利名称： | 测量薄膜掺杂比例的装置及测量方法 |
| 摘要： | 本发明公开了测量有机半导体掺杂比例的装置及测量方法。该装置包括：传感器，所述传感器被配置为可检测待测量薄膜的I/V曲线；遮光结构和光源，所述遮光结构具有漏光区域，且所述光源发出的光可通过所述遮光结构的漏光区域照射至所述待测量薄膜，所述光源包括多个单色光光源，或者，所述光源为白光光源，所述白光光源以及所述遮光结构之间包括至少一个滤光片，所述白光光源发出的光可经过所述滤光片后，通过所述遮光结构的漏光区域照射至所述待测量薄膜。由此，该装置具有较高的测量精度，可测量掺杂比例较小，以及掺杂比例变化范围较小的薄膜的掺杂比例，使得薄膜的掺杂比例与所要求的掺杂比例相匹配，使得薄膜具有良好的性能。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 发明人： | 钱宏昌;冯永山;何信儒 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-10-14T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-12-20T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910974534.7 |
| 公开号： | CN110596027A |
| 代理机构： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) |
| 代理人： | 尚伟净 |
| 分类号： | G01N21/31(2006.01);G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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