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原文传递测量导电层的导电性能的方法及其系统

专利名称：	测量导电层的导电性能的方法及其系统
摘要：	本揭示提供了测量导电层的导电性能的方法及其系统。所述测量导电层的导电性能的方法包括通过椭圆偏振光谱仪测量导电层的导电薄膜在近红外波段范围内的椭圆偏振参数，其中所述导电薄膜的表面等离子体共振范围落在所述椭圆偏振光谱仪的波长测量范围内，通过建模分析单元对所述导电薄膜进行建模分析，以及通过所述建模分析和通过计算单元对测量到的所述导电薄膜在近红外波段范围内的所述椭圆偏振参数进行分析，以得到所述导电薄膜的导电性能，能够准确获得所述导电薄膜的导电性能且测量方便快捷。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	广东;44
申请人：	深圳市华星光电技术有限公司
发明人：	袁广中
专利状态：	有效
申请日期：	2019-06-24T00:00:00+0800
发布日期：	2019-09-20T00:00:00+0800
申请号：	CN201910546868.4
公开号：	CN110261318A
代理机构：	深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)
代理人：	黄威
分类号：	G01N21/21(2006.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
主权项：	1.一种测量导电层的导电性能的方法，其特征在于，包括: 通过椭圆偏振光谱仪测量导电层的导电薄膜在近红外波段范围内的椭圆偏振参数，其中所述导电薄膜的表面等离子体共振范围落在所述椭圆偏振光谱仪的波长测量范围内；通过建模分析单元对所述导电薄膜进行建模分析；以及通过所述建模分析和通过计算单元对测量到的所述导电薄膜在近红外波段范围内的所述椭圆偏振参数进行分析，以得到所述导电薄膜的导电性能。 2.如权利要求1所述的测量导电层的导电性能的方法，其特征在于，所述导电薄膜的所述表面等离子体共振范围在1200nm和1800nm之间，所述椭圆偏振光谱仪的所述波长测量范围至少在800nm和2500nm之间。 3.如权利要求1所述的测量导电层的导电性能的方法，其特征在于，对所述导电薄膜进行建模分析包括建立所述导电层的结构模型，所述导电层的所述结构模型为双层结构模型，所述导电层包括基底和设置在所述基底上的所述导电薄膜。 4.如权利要求3所述的测量导电层的导电性能的方法，其特征在于，所述导电层为氧化铟锡层，所述基底为玻璃基底或硅片，以及所述导电薄膜为氧化铟锡薄膜。 5.如权利要求3所述的测量导电层的导电性能的方法，其特征在于，对所述导电薄膜进行建模分析包括设定所述导电薄膜的光学色散方程为Drude模型。 6.如权利要求3所述的测量导电层的导电性能的方法，其特征在于，所述Drude模型的表达式为：其中εr为材料介电常数的实部，εi为所述材料介电常数的虚部，ε∞为与介电极化有关的常数，ωp为材料表面等离子震荡频率，由所述材料的载流子浓度决定，ωτ为材料载流子碰撞频率，ωp和ωτ均为与材料电学性能相关的参数，方程待回归参数为ωp和ωτ。 7.如权利要求6所述的测量导电层的导电性能的方法，其特征在于，基于建立的所述结构模型和所述Drude模型，通过所述计算单元对测量到的所述导电薄膜在近红外波段范围内的所述椭圆偏振参数进行迭代回归，获得所述导电薄膜的厚度、ωp和ωτ的优取值。 8.如权利要6所述的测量导电层的导电性能的方法，其特征在于，ε∞为4。 9.如权利要求7所述的测量导电层的导电性能的方法，其特征在于，基于获得的所述导电薄膜的厚度、ωp和ωτ的优取值，根据如下公式得到所述导电薄膜的电阻率和方块电阻，其中ε0为真空介电常数。 10.一种测量导电层的导电性能的系统，其特征在于，包括: 椭圆偏振光谱仪，配置成用于测量导电层的导电薄膜在近红外波段范围内的椭圆偏振参数，其中所述导电薄膜的表面等离子体共振范围落在所述椭圆偏振光谱仪的波长测量范围内；建模分析单元，配置成用于对所述导电薄膜进行建模分析；以及计算单元，连接所述椭圆偏振光谱仪和所述建模分析单元，所述计算单元配置成用于通过所述建模分析和对测量到的所述导电薄膜在近红外波段范围内的所述椭圆偏振参数进行分析，以得到所述导电薄膜的导电性能。
所属类别：	发明专利