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一种n-p异质型核壳阵列气敏材料及其制备方法
| 专利名称： | 一种n-p异质型核壳阵列气敏材料及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明涉及一种n‑p异质型核壳阵列气敏材料及制备方法，具体涉及一种p型纳米NiO为核，n型纳米SnO2为壳的核壳单体，其整体为高度有序纳米阵列的NiO@SnO2核壳阵列气敏材料及制备方法。该发明的气敏材料一方面避免了核层p型NiO直接暴露在空气中导致的界面电子耗尽，另一方面利用壳层的n型SnO2改善气敏材料的能带结构，且整体有序阵列增加了活性接触点，提高气敏材料对气体的敏感性。本发明所采用的方法原料来源广泛，价格低廉；所获得的的n‑p异质型NiO@SnO2核壳阵列气敏材料灵敏度高，选择性强。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 浙江;33 |
| 申请人： | 徐靖才 |
| 发明人： | 张肖鑫;徐靖才;王新庆;洪波;金红晓;彭晓领;金顶峰;葛洪良 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-07-17T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-10-22T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910644836.8 |
| 公开号： | CN110361424A |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 310018 浙江省杭州市钱塘新区学源街258号 |
| 主权项： | 1.一种n-p异质型核壳阵列气敏材料，其特征在于，所述的气敏材料为NiO@SnO2复合材料，该材料结构的单体以p型纳米NiO为核，n型纳米SnO2为壳的核壳结构，其整体为高度有序纳米阵列。 2.根据权利要求1所述的一种n-p异质型核壳阵列气敏材料，其特征在于该材料的制备步骤为： 第一步：多孔氧化铝模板准备 选取孔径为200nm双通的氧化铝模板，在其背面磁控溅射一层厚度为0.5μm的金膜，依次经过三甲基氰硅烷、乙醇、蒸馏水超声清洗后烘干以备用； 第二步：Sn纳米管阵列制备 在电解池中采用脉冲电沉积法制备Sn纳米管阵列：以第一步准备好氧化铝模板作为工作电极，锡片为对电极，锡丝为辅助电极，加入沉积液后进行脉冲电沉积，沉积完成后用蒸馏水清洗至中性，在120 ~200℃热处理1~5h； 所述的沉积液成分为：0.1mol/L SnCl4·5H2O，0.01 mol/L NaCl，H3BO3和Na3C6H5O7·2H2O； 所述的脉冲电沉积的条件为：电流密度为1~10 mA/cm2，脉冲频率为1~10 Hz，脉冲占空比为0.1~0.5； 第三步：Ni@Sn纳米阵列制备 在电解池中采用恒压电沉积法制备Ni@Sn纳米阵列制备：以第二步准备好Sn纳米管阵列作为工作电极，铂片为对电极，饱和甘汞电极为辅助电极，加入沉积液后进行恒压电沉积，沉积完成后用蒸馏水清洗至中性； 所述的沉积液成分为：0.1mol/L NiSO4·6H2O，0.01 mol/L NaCl 和H3BO3； 所述的恒压电沉积的电压为 -1 V； 第四步：NiO@SnO2纳米阵列制备 将第三步得到的样品用1M的NaOH浸泡一段时间去除氧化铝模板，然后用乙醇和蒸馏水清洗至中性，烘干后放置马弗炉中，以1℃/min的的升温速率升温至500~700℃保温2~4 h，冷却后得到NiO@SnO2纳米阵列。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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