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原文传递顶栅底接触结构器件在构建生物传感器中的应用

专利名称：	顶栅底接触结构器件在构建生物传感器中的应用
摘要：	本发明公开了一种顶栅底接触结构器件在构建生物传感器中的应用,在全共价键连接全还原氧化石墨烯场效应晶体管上滴加交联剂溶液并孵育，用磷酸缓冲盐溶液冲洗该FET的表面；将抗体溶液滴加在FET的表面并于室温孵化1～2h；用磷酸缓冲盐溶液冲洗该FET的表面，再在FET的表面滴加封闭剂并反应；用磷酸缓冲盐溶液冲洗FET的表面，于室温干燥至少2s后测试该FET的转移曲线并得到狄拉克点数值D1；将待测溶液滴加在FET的表面，于室温孵化1～3h，用磷酸缓冲盐溶液冲洗FET的表面，并于室温干燥至少2s，测试转移曲线并得到狄拉克点数值D2；计算ΔD＝D2‑D1并将ΔD记做传感输出信号。该生物传感器可达到同时检测不同种癌症标志物的目的。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	天津;12
申请人：	天津大学
发明人：	程姗姗;张丛丛;陈鹏磊;胡文平;王利维;王勇;卢小泉;司珂
专利状态：	有效
申请日期：	2018-09-17T00:00:00+0800
发布日期：	2019-10-29T00:00:00+0800
申请号：	CN201811084208.0
公开号：	CN110389226A
代理机构：	天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：	李蕊;田阳
分类号：	G01N33/574(2006.01);G;G01;G01N;G01N33
申请人地址：	300072 天津市南开区卫津路92号
主权项：	1.一种全共价键连接全还原氧化石墨烯场效应晶体管在构建生物传感器中的应用，其特征在于，包括以下步骤： 1)在全共价键连接全还原氧化石墨烯场效应晶体管上，以含有一个源电极和一个漏电极作为一个FET，在所述全共价键连接全还原氧化石墨烯场效应晶体管的一个FET的表面滴加5～15μL交联剂溶液并孵育0.5～2h，用磷酸缓冲盐溶液冲洗该FET的表面，其中，交联剂溶液中的交联剂为戊二醛、多肽缩合试剂HATU或1-芘丁酸亚胺酯； 2)将5～20μL浓度为50～150μg mL-1的抗体溶液滴加在所述FET的表面并于室温20～25℃孵化1～2h； 3)用磷酸缓冲盐溶液冲洗该FET的表面，再在FET的表面滴加5～20μL的封闭剂并反应1～2h，用于避免非特异性吸附到全共价键连接全还原氧化石墨烯场效应晶体管的栅极表面； 4)用磷酸缓冲盐溶液冲洗所述FET的表面，于室温20～25℃干燥至少2s后测试该FET的转移曲线并得到狄拉克点数值D1； 5)将40～60μL待测溶液滴加在步骤4)所得的FET的表面，于室温20～25℃孵化1～3h，用磷酸缓冲盐溶液冲洗所述FET的表面，并于室温20～25℃下干燥至少2s，测试转移曲线并得到狄拉克点数值D2； 6)计算ΔD＝D2-D1并将所得差值狄拉克点电压差ΔD记做传感输出信号。 2.根据权利要求1所述应用，其特征在于，所述全共价键连接全还原氧化石墨烯场效应晶体管，包括：基底、RGO层、semi-RGO层和GO层，所述RGO层为多对，每对RGO层为2个且分别作为所述全共价键连接全还原氧化石墨烯场效应晶体管上一FET的源电极和漏电极，2个所述RGO层相互平行并负载在所述基底上，所述semi-RGO层负载在所述RGO层和该RGO层四周的基底上并作为半导体层，所述GO层负载在所述semi-RGO层上。 3.根据权利要求2所述应用，其特征在于，所述GO层的厚度为2～15nm；所述semi-RGO层的厚度为2～15nm；所述RGO层的厚度为2～15nm；所述基底的厚度为400～500μm。 4.根据权利要求3所述应用，其特征在于，在所述步骤1)中，所述交联剂溶液中交联剂的体积浓度为2～10％；所述交联剂溶液的溶剂为1×PBS。 5.根据权利要求4所述应用，其特征在于，所述抗体溶液的溶剂为1×PBS；所述磷酸缓冲盐溶液为0.01×PBS。 6.根据权利要求5所述应用，其特征在于，所述封闭剂为牛血清蛋白溶液或乙醇胺溶液，所述牛血清蛋白溶液的浓度为1～2wt％，所述乙醇胺溶液的浓度为10～15mM。 7.根据权利要求6所述应用，其特征在于，所述牛血清蛋白溶液的溶剂为1×PBS。 8.根据权利要求7所述应用，其特征在于，所述磷酸缓冲盐溶液的pH为7～8。 9.根据权利要求8所述应用，其特征在于，所述待测溶液中待测的抗原能够诱发所述抗体溶液中的抗体。 10.根据权利要求9所述应用，其特征在于，所述待测溶液的溶剂为人血清。
所属类别：	发明专利