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原文传递 用于细胞膜状态监测的微生化反应器及其制作方法,以及细胞膜状态监测方法
专利名称: 用于细胞膜状态监测的微生化反应器及其制作方法,以及细胞膜状态监测方法
摘要: 本发明公开了用于细胞膜状态监测的微生化反应器及其制作方法,以及细胞膜状态监测方法,其中,所述微生化反应器,包括:基底层;底电极层;其设置于所述基底层上,下层腔体;其包括:下层腔体壁,以及由所述下层腔体壁围设所述底电极层形成的顶端开口的下层腔体内部空腔;多孔结构层;其设置于所述下层腔体上,其上设置有通孔;上层腔体;其包括:上层腔体壁罩,以及由所述上层腔体壁罩罩设于所述多孔结构层上形成的上层腔体内部空腔;其中,所述上层腔体壁罩的顶部上设置有进液口和出液口;顶电极;集成设置于所述上层腔体壁罩的顶部。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 天津;12
申请人: 天津大学
发明人: 段学欣;周锋;薛茜男
专利状态: 有效
申请日期: 2019-06-20T00:00:00+0800
发布日期: 2019-10-29T00:00:00+0800
申请号: CN201910539250.5
公开号: CN110389160A
代理机构: 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人: 韩登营;曲芳兵
分类号: G01N27/27(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址: 300072 天津市南开区卫津路92号
主权项: 1.一种用于细胞膜状态监测的微生化反应器,其特征在于,包括: 基底层; 底电极层;其设置于所述基底层上, 下层腔体;其包括:下层腔体壁,以及由所述下层腔体壁围设所述底电极层形成的顶端开口的下层腔体内部空腔; 多孔结构层;其设置于所述下层腔体上,其上设置有通孔; 上层腔体;其包括:上层腔体壁罩,以及由所述上层腔体壁罩罩设于所述多孔结构层上形成的上层腔体内部空腔;其中,所述上层腔体壁罩的顶部上设置有进液口和出液口; 顶电极;集成设置于所述上层腔体壁罩的顶部。 2.根据权利要求1所述的微生化反应器,其特征在于,还包括: 磷脂膜层;覆盖设置于所述上层腔体内部空腔的底部的所述多孔结构层上。 3.一种细胞膜状态监测方法,基于权利要求1所述的微生化反应器,其特征在于,包括步骤: S1、通过微注射泵或者液体蠕动泵与所述微生化反应器的进液口和出液口连接以形成循环换液系统; S2、通过进液口将PBS缓冲液注入至所述微生化反应器内以对所述多孔结构层进行湿润,之后通过进液口将磷脂囊泡溶液注入至所述微生化反应器内,从而在微生化反应器内的多孔结构层的上表面形成仿真细胞膜的磷脂膜层; S3、将样品溶液通入至所述微生化反应器内,并将底电极层和顶电极分别接入电化学工作体系,以进行电学信号测量,以监测磷脂膜层的状态。 4.一种用于细胞状态监测的微生化反应器的制作方法,基于权利要求1所述的微生化反应器,其特征在于,包括步骤: A、在基底层上形成图形化的底电极层; B、在底电极层周围粘附下层腔体壁; C、在下层腔体上粘附多孔结构层; D、在多孔结构层上对准并粘附上层腔体壁罩的侧壁;其中,所述上层腔体壁罩包括侧壁和顶部; E、制作上层腔体壁罩的顶部,并且在所述顶部集成顶电极; F、将集成顶电极后的所述上层腔体壁罩的顶部与所述上层腔体壁罩的侧壁对准粘附。 5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述步骤A,包括: 采用蒸镀金属方式,在基底层上贴上图形化模板,然后通过高真空电子束蒸发镀膜机在基底层上形成图形化的底电极层; 其中,步骤A所述形成图形化的底电极层的方式还包括:丝网印刷或磁控溅射。 6.一种用于细胞状态监测的微生化反应器,其特征在于,包括: 基底层; 底电极层;其设置于所述基底层上, 腔体;其包括:腔体壁罩,以及由所述腔体壁罩罩设于所述底电极层上形成的内部空腔;其中,所述腔体壁罩的顶部上设置有进液口和出液口; 多孔结构层;其覆盖设置于所述底电极层上;其上设置有通孔; 顶电极;集成设置于所述腔体壁罩的顶部。 7.根据权利要求6所述的微生化反应器,其特征在于,还包括: 磷脂膜层;覆盖设置于所述多孔结构层上。 8.一种细胞状态监测方法,基于权利要求6所述的微生化反应器,其特征在于,包括步骤: M1、通过微注射泵或者液体蠕动泵与所述微生化反应器的进液口和出液口连接以形成循环换液系统; M2、通过进液口将PBS缓冲液注入至所述微生化反应器内以对所述多孔结构层进行湿润,之后通过进液口将磷脂囊泡溶液注入至所述微生化反应器内,从而在微生化反应器内的多孔结构层的上表面形成仿真细胞膜的磷脂膜层; M3、将样品溶液通入至所述微生化反应器内,并将底电极层和顶电极分别接入电化学工作体系,以进行电学信号测量,以监测磷脂膜层的状态。 9.一种用于细胞状态监测的微生化反应器的制作方法,基于权利要求6所述的微生化反应器,其特征在于,包括步骤: N1、在基底层上形成图形化的底电极层; N2、在底电极层上光刻、粘附或者沉积多孔结构层; N3、在所述多孔结构层周围对准并粘附腔体壁罩的侧壁;其中,所述上层腔体壁罩包括侧壁和顶部; N4、制作所述腔体壁罩的顶部,并且在所述顶部集成顶电极; N5、将集成顶电极后的所述上层腔体壁罩的顶部与所述腔体壁罩的侧壁对准粘附。 10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述步骤N1,包括: 采用蒸镀金属方式,在基底层上贴上图形化模板,然后通过高真空电子束蒸发镀膜机在基底层上形成图形化的底电极层; 其中,步骤N1所述形成图形化的底电极层的方式还包括:丝网印刷或磁控溅射。
所属类别: 发明专利
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