专利名称: |
一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列 |
摘要: |
本发明公开一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列,从下到上依次包括衬底层、传感材料层和电极层。所述传感材料层为玻璃石墨烯,所述玻璃石墨烯采用聚合物辅助沉积法制备;所述传感器阵列为hall‑bar结构。通过这种设计,该传感器展现出极好的针对挥发性有机化合物的灵敏感应特性、选择性、稳定性、可重复性和高信噪比,且所述该传感器阵列无栅极电调控,具有跨导功能,可以放大传感信号、加快响应速率。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
四川;51 |
申请人: |
电子科技大学 |
发明人: |
徐浩;李彩虹;李潇;王志明;巫江;杜文;黄一轩;邹吉华;刘和桩 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2019-08-01T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-11-08T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201910707412.1 |
公开号: |
CN110426429A |
代理机构: |
成都聚蓉众享知识产权代理有限公司 |
代理人: |
孟凡娜 |
分类号: |
G01N27/26(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
申请人地址: |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |
主权项: |
1.一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列,其特征在于,包括衬底层(1),在衬底层上沉积透明均匀的传感材料层(2)和电极层(3)。 2.根据权利要求1所述的一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列,其特征在于,所述衬底层(1)的材料为石英。 3.根据权利要求1所述的一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列,其特征在于,所述透明均匀传感材料层(2)材料为玻璃石墨烯,所述传感材料层(2)厚度为0.9nm,1.5nm,2nm和25nm,所述传感材料层(2)制备得到的尺寸为10cm×7cm,所述传感材料层(2)粗糙度小于0.7nm,所述传感材料层(2)的生长方法是聚合物辅助沉积。 4.根据权利要求3所述的一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列,其特征在于,所述聚合物辅助沉积法包括: 按质量将1份葡萄糖和0.5份聚乙烯亚胺混合溶解在5份去离子水中形成溶液,其中,葡萄糖质量从0.2份到6份可调,可得到不同厚度的样品薄膜; 然后将所述溶液在室温下用磁子搅拌12h,转速为2600rpm; 将所述搅拌后的所述前驱体溶液旋涂在衬底层(1)上并得到薄膜,其中,旋涂速度为8000rpm,旋涂时间为30s; 将所述薄膜在Ar和H2气氛下退火,然后自然冷却到室温,其中,退火温度为1000℃,升温速率为2℃/min,退火时长为5min,Ar和H2气流流速分别为10和1sccm; 在退火后的所述薄膜上蒸镀一层Ni薄膜,其中Ni薄膜的作用是增强结晶度; 将蒸镀后的所述薄膜再次退火,得到样品,其中,退火温度为850℃; 将所述样品置于FeCl3溶液,去除残余Ni,其中FeCl3溶液浓度为1mol/L。 5.根据权利要求1所述的一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列,其特征在于,所述的电极层(3)的材料为Ti/Au,所述电极层(3)的Ti/Au电极厚度为10nm/50nm,所述的电极层(3)与传感材料层(2)之间为欧姆接触,所述的电极层(3)形貌为hall-bar,所述的电极层(3)的形貌的制备方法是标准光刻,所述电极层(3)的电极生长方法是电子束蒸镀。 6.根据权利要求1所述的一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列,其特征在于,单个阵列中所述的电极对称分布在玻璃石墨烯沟道的两侧。 7.根据权利要求1所述的一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列,其特征在于,四端法测试条件下,呈现无栅调控特性。 8.根据权利要求1所述的一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列,其特征在于,采用两端法与四端法测试传感响应。 9.根据权利要求1所述的一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列,其特征在于,四端法测试条件下,器件的Hall-bar可以实现无栅级调控下的信号放大与快速响应。 |
所属类别: |
发明专利 |