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原文传递蚀刻速率量测装置及侧向蚀刻速率的量测方法

专利名称：	蚀刻速率量测装置及侧向蚀刻速率的量测方法
摘要：	一种蚀刻速率量测装置及侧向蚀刻速率量测方法被提供,所述蚀刻速率量测装置包括:石英晶体振荡片,用于输出一振荡频率；集流体层,均匀地形成于所述石英晶体振荡片上,作为一电极；薄膜金属层,形成于所述集流体层上；遮蔽层,形成于所述薄膜金属层上,用于遮蔽所述薄膜金属层中不被蚀刻的部分；以及外接电路,与所述集流体层电连接；其中,所述集流体层汇集来自所述外接电路的电流,对所述石英晶体振荡片施加一电场,所述石英晶体振荡片根据所述薄膜金属层的质量输出一相对应的振荡频率。所述侧向蚀刻速率量测方法经由所述蚀刻速率量测装置并根据方程式(1)获得一待量测薄膜金属层的侧向蚀刻速率:
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	广东;44
申请人：	深圳市华星光电技术有限公司
发明人：	梅园
专利状态：	有效
申请日期：	2019-07-15T00:00:00+0800
发布日期：	2019-11-08T00:00:00+0800
申请号：	CN201910634590.6
公开号：	CN110426451A
代理机构：	深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)
代理人：	黄威
分类号：	G01N29/02(2006.01);G;G01;G01N;G01N29
申请人地址：	518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
主权项：	1.一种蚀刻速率量测装置,其特征在于,包括: 石英晶体振荡片,用于输出一振荡频率；集流体层,均匀地形成于所述石英晶体振荡片上,作为一电极；薄膜金属层,形成于所述集流体层上；遮蔽层,形成于所述薄膜金属层上,用于遮蔽所述薄膜金属层中不被蚀刻的部分；以及外接电路,与所述集流体层电连接；其中,所述集流体层汇集来自所述外接电路的电流,对所述石英晶体振荡片施加一电场,所述石英晶体振荡片根据所述薄膜金属层的质量输出一相对应的振荡频率。 2.如权利要求1所述的蚀刻速率量测装置,其特征在于, 所述集流体层为一铂金属层。 3.如权利要求2所述的蚀刻速率量测装置,其特征在于, 所述集流体层以电镀方式形成。 4.如权利要求1所述的蚀刻速率量测装置,其特征在于, 所述薄膜金属层以溅镀方式沉积形成。 5.如权利要求1所述的蚀刻速率量测装置,其特征在于, 所述遮蔽层由光刻胶所组成。 6.一种侧向蚀刻速率量测方法,其特征在于,包括: 提供一石英晶体振荡片；在所述石英晶体振荡片上形成一厚度均匀的集流体层；在所述集流体层上形成一薄膜金属层；在所述薄膜金属层上形成一遮蔽层；在所述遮蔽层上形成一薄膜金属层的蚀刻目标区域；对所述蚀刻目标区域进行蚀刻,同时通电经由所述集流体层对所述石英晶体振荡片施以电场,于数个时间点量测所述石英晶体振荡片的数个相对应的振荡频率；以所述数个时间点为横坐标,数个相对应的振荡频率为纵坐标,作图得到一弯折线,所述弯折线具有一拐点(t1,f1)；取前述拐点(t1,f1)和所述拐点出现后的另一座标点(t2,f2),带入方程式(1)获得所述薄膜金属层的侧向蚀刻速率: 其中,f0为所述石英晶体振荡片的固有振荡频率,f1和f2分别为时间点t1和t2所对应的振荡频率,a为所述蚀刻目标区域的薄膜金属层长度，h为蚀刻目标区域的薄膜金属层厚度,A为所述集流体层和所述石英晶体振荡片的接触面积,ρq为所述石英晶体振荡片的密度,μq为所述石英晶体振荡片的剪切模量,ρm为所述薄膜金属层的密度。 7.如权利要求6所述的蚀刻速率量测装置,其特征在于,取介于前述拐点(t1,f1)和前述另一座标点(t2,f2)之间的一座标点(t11,f11)和所述座标点(t2,f2),带入方程式(2)计算所述薄膜金属层的侧向蚀刻速率: 8.如权利要求6所述的蚀刻速率量测装置,其特征在于,所述集流体层以电镀方式形成。 9.如权利要求6所述的蚀刻速率量测装置,其特征在于,所述薄膜金属层以溅镀沉积方式形成。 10.如权利要求6所述的蚀刻速率量测装置,其特征在于,所述蚀刻目标区域经由光罩曝光及显影方式形成。
所属类别：	发明专利