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原文传递一种氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底的制备方法

专利名称：	一种氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底的制备方法
摘要：	本发明涉及分子检测技术领域，具体涉及一种氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底的制备方法，包括如下步骤：步骤A：取三氧化钼粉末放置于陶瓷舟中，并在陶瓷舟上方放置一遮挡片，然后将陶瓷舟放置于石英管的高温区域；取一衬底，放置于石英管的低温区域；步骤B；通入气体，并将石英管的高温区域温度升温，然后将石英管的高温区域快速冷却，在石英管低温区域的衬底表面收集并形成氧化钼纳米薄层；步骤C：将步骤B制得的氧化钼纳米薄层进行低温退火处理，最后制得氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底。本发明的制备方法简单环保、成本低廉、快速高效，能在衬底的表面制备大面积、均匀的二维氧化钼纳米片，且检测限高，均匀性好，稳定性优异。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	广东;44
申请人：	广东食品药品职业学院
发明人：	陈秋兰;陈建;金浩宇;刘虔铖
专利状态：	有效
申请日期：	2019-07-31T00:00:00+0800
发布日期：	2019-11-05T00:00:00+0800
申请号：	CN201910703966.4
公开号：	CN110412011A
代理机构：	深圳科湾知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：	钟斌
分类号：	G01N21/65(2006.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	510000 广东省广州市天河区龙洞北路321号
主权项：	1.一种氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤A：取三氧化钼粉末放置于陶瓷舟中，并在陶瓷舟上方放置一遮挡片，然后将陶瓷舟放置于管式炉石英管的高温区域；取一衬底，放置于管式炉石英管的低温区域；步骤B；通入气体，并将管式炉石英管的高温区域温度升温至700-900℃，然后将管式炉石英管的高温区域快速冷却，在管式炉石英管低温区域的衬底表面收集并形成氧化钼纳米薄层；步骤C：将步骤B制得的氧化钼纳米薄层进行低温退火处理，最后制得氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底。 2.根据权利要求1所述的一种氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于：所述步骤A中，三氧化钼粉末的用量为0.1-0.5g；遮挡片放置于陶瓷舟的上方中部，遮挡三氧化钼，而两侧留有便于三氧化钼蒸发至空间内的空隙。 3.根据权利要求1所述的一种氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于：所述步骤A中，衬底为Si片、SiO2片、云母片或石英片中的一种；所述步骤A之前，还包括衬底的前处理步骤：将衬底依次经过丙酮、酒精和去离子水超声清洗，然后用氮气枪吹干。 4.根据权利要求1所述的一种氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于：所述步骤A中，管式炉石英管的高温区域的温度为700-900℃；管式炉石英管的低温区域的温度为400-700℃。 5.根据权利要求1所述的一种氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于：所述步骤B中，通入的气体为氧气、干燥空气、氮气或氩气中的一种；气体的通入体积流量为0.1-500sccm。 6.根据权利要求1所述的一种氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于：所述步骤B中，高温区域快速冷却的降温速率为5-50℃/s。 7.根据权利要求1所述的一种氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于：所述步骤C中，低温退火处理的温度为200-350℃，退火处理时间为1-2h。 8.一种氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底的应用方法，其特征在于：包括如下步骤：将氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底与待检测的分子水溶液接触，然后吹干表面，得到待检测的样本，最后将得到待检测的样本测试其拉曼光谱；所述氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底由权利要求1-7任一项所述的氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底的制备方法制得。 9.根据权利要求1所述的一种氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底的应用方法，其特征在于：所述氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底与待检测的分子水溶液接触，具体为：将氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底直接浸泡于待检测的分子水溶液中10-30min，取出，用氮气枪吹干。 10.根据权利要求1所述的一种氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底的应用方法，其特征在于：所述氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底与待检测的分子水溶液接触，具体为：将5-20μL待检测的分子水溶液滴到氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底上，自然风干。
所属类别：	发明专利