专利名称: | 一种基于电化学原位石墨烯合成的碳基电极修饰方法 |
摘要: | 本发明公开了一种基于电化学原位石墨烯合成的碳基电极修饰方法,使用三电极或双电极系统完成电化学处理过程,所述电化学处理为以下两种方式中的其中一种:(1)循环伏安法:三电极工作面放入支持的电解质溶液中,向碳基电极施加正电压扫描以原位获得氧化石墨烯,然后向碳基电极施加负电压扫描以原位获得还原氧化石墨烯;(2)直流电压法:三电极或双电极工作面放入支持的电解质溶液中,向碳基电极施加恒定的正直流电压进行处理以原位获得氧化石墨烯,然后向碳基电极施加恒定的负直流电压进行处理以原位获得还原氧化石墨烯。较常规(氧化)石墨烯滴涂和原位气相沉积等修饰法具有快速、简便、廉价、纯绿色合成、高可控、高重现、高稳定的特点。 |
专利类型: | 发明专利 |
国家地区组织代码: | 湖北;42 |
申请人: | 中国科学院武汉病毒研究所 |
发明人: | 张先恩;李一苇;门冬;周娟;张治平;梁晓声 |
专利状态: | 有效 |
申请日期: | 2019-01-18T00:00:00+0800 |
发布日期: | 2019-12-13T00:00:00+0800 |
申请号: | CN201910047062.0 |
公开号: | CN109856204A8 |
代理机构: | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) |
代理人: | 孙艳敏 |
分类号: | G01N27/30(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
申请人地址: | 430071 湖北省武汉市武昌区水果湖街小洪山中区44号 |
所属类别: | 发明专利 |