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半导体结构中氮含量的测量方法及装置
| 专利名称： | 半导体结构中氮含量的测量方法及装置 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构中氮含量的测量方法，包括：提供半导体结构，半导体结构包括电荷俘获层以及形成于电荷俘获层之上的隧穿层；扫描半导体结构，以获得半导体结构的氮含量电子能量损失图谱；其中，入射电子束在第一采集区域中电荷俘获层的底部形成第一扩展区域，并在与第一采集区域相邻的第二采集区域中电荷俘获层的底部形成第二扩展区域，第一扩展区域与第二扩展区域至少没有重叠；根据氮含量电子能量损失图谱，确定电荷俘获层和隧穿层中的氮含量。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 湖北;42 |
| 申请人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 发明人： | 张正飞;魏强民;仝金雨 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-09-20T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-12-20T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910891813.7 |
| 公开号： | CN110596157A |
| 代理机构： | 上海专利商标事务所有限公司 |
| 代理人： | 骆希聪 |
| 分类号： | G01N23/04(2018.01);G;G01;G01N;G01N23 |
| 申请人地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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