专利名称: |
一种湿敏晶体管传感器及其检测方法 |
摘要: |
本发明公开了一种湿敏晶体管传感器及其检测方法,其中,晶体管传感器包括高掺硅层和二氧化硅层,所述二氧化硅层设于所述高掺硅层的上部,所述二氧化硅层的上端设有二硫化钼层,所述二氧化硅层上设有源极和漏极,所述源极与漏极分别位于所述二硫化钼层的两相对侧,所述高掺硅层上设有栅极。本发明的晶体管传感器在尺寸上得到了高度的压缩,利用MoS2独特的电子性质,起到很好的气体吸附的性能,对环境中的水气具有灵敏度高、稳定性好、与传统的微纳加工工艺兼容等优点。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
上海;31 |
申请人: |
季优科技(上海)有限公司 |
发明人: |
王中健;肖兵;梁欢;黄肖艳 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2018-06-21T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-12-31T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201810646241.1 |
公开号: |
CN110632154A |
代理机构: |
上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) |
代理人: |
邓文武 |
分类号: |
G01N27/414(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
申请人地址: |
201899 上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢J246室 |
主权项: |
1.一种湿敏晶体管传感器,其特征在于:包括高掺硅层和二氧化硅层,所述二氧化硅层设于所述高掺硅层的上部,所述二氧化硅层的上端设有二硫化钼层,所述二氧化硅层上设有源极和漏极,所述源极与漏极分别位于所述二硫化钼层的两相对侧,所述高掺硅层上设有栅极。 2.如权利要求1所述的一种湿敏晶体管传感器,其特征在于:所述二氧化硅层的厚度为300nm。 3.如权利要求1所述的一种湿敏晶体管传感器,其特征在于:所述二硫化钼层的厚度为0.6nm。 4.一种包含权利要求1至3中任一项的湿敏晶体管传感器的检测方法,其特征在于包括以下步骤: S1:将晶体管传感器置于探针台上,分别用探针接触相应的源极、漏极、栅极; S2:二硫化硅层在不同的外界环境下进行基本的测试,再通过探针台对不同湿度下的所述晶体管传感器进行包括输出曲线及电学曲线的测试; S3:通过测试中各种湿度环境下电学信号的采集,形成特定湿度与特定电学信号的一一对应关系。 5.如权利要求4所述的一种湿敏晶体管传感器的检测方法,其特征在于:所述步骤S2中,先在真空中逐滴滴入水滴,利用真空环境中的湿度计观察其湿度变化,再通过真空探针台对不同湿度下的此晶体管进行测试,并观察电学曲线的回滞特性。 |
所属类别: |
发明专利 |