专利名称: |
一种湿敏晶体管传感器 |
摘要: |
本实用新型公开了一种湿敏晶体管传感器,其中,晶体管传感器包括高掺硅层和二氧化硅层,所述二氧化硅层设于所述高掺硅层的上部,所述二氧化硅层的上端设有二硫化钼层,所述二氧化硅层上设有源极和漏极,所述源极与漏极分别位于所述二硫化钼层的两相对侧,所述高掺硅层上设有栅极。本实用新型的晶体管传感器在尺寸上得到了高度的压缩,利用MoS2独特的电子性质,起到很好的气体吸附的性能,对环境中的水气具有灵敏度高、稳定性好、与传统的微纳加工工艺兼容等优点。 |
专利类型: |
实用新型 |
国家地区组织代码: |
上海;31 |
申请人: |
季优科技(上海)有限公司 |
发明人: |
王中健;肖兵;梁欢;黄肖艳 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201820959934.1 |
公开号: |
CN208270479U |
代理机构: |
上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 |
代理人: |
邓文武 |
分类号: |
G01N27/414(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/414 |
申请人地址: |
201899 上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢J246室 |
主权项: |
1.一种湿敏晶体管传感器,其特征在于:包括高掺硅层和二氧化硅层,所述二氧化硅层设于所述高掺硅层的上部,所述二氧化硅层的上端设有二硫化钼层,所述二氧化硅层上设有源极和漏极,所述源极与漏极分别位于所述二硫化钼层的两相对侧,所述高掺硅层上设有栅极。 |
所属类别: |
实用新型 |