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气敏型场效应晶体管装置和气敏型场效应晶体管装置阵列
| 专利名称： | 气敏型场效应晶体管装置和气敏型场效应晶体管装置阵列 |
| 摘要： | 本申请提供了气敏型场效应晶体管装置、气敏型场效应晶体管装置阵列及其制备方法。气敏型场效应晶体管装置可包括栅极、位于栅极上且具有一个或多个通孔的钝化层、浮置电极、感应材料层以及控制部件，其中浮置电极与栅极电学连接，并设置在钝化层中且浮置电极的至少一部分通过通孔暴露，感应材料层直接位于浮置电极的至少一部分上，控制部件被配置为控制浮置电极控制部件的工作点。根据本申请提供的气敏型场效应晶体管装置阵列能够控制工作点，并具有动态亚阈值电流读出能力，从而能够显著降低阵列的功耗，并能够提高室温下的灵敏度。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 中国香港;81 |
| 申请人： | 香港科技大学 |
| 发明人： | 余倩;阿民·伯马克;崔志英 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-06-11T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-12-20T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910500446.3 |
| 公开号： | CN110596202A |
| 代理机构： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 |
| 代理人： | 王达佐;王艳春 |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 中国香港九龙清水湾 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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