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原文传递化学敏感场效应晶体管阵列

专利名称：	化学敏感场效应晶体管阵列
摘要：	一种像素阵列，其中，每个像素包括：化学敏感场效应晶体管传感器和Σ‑Δ模数转换器。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	英国;GB
申请人：	DNAE诊断有限公司
发明人：	大卫迈克尔·加纳;达里娅·穆赫塔塞米;塔克·翁·潘
专利状态：	有效
申请日期：	2017-11-02T00:00:00+0800
发布日期：	2019-10-08T00:00:00+0800
申请号：	CN201780068903.5
公开号：	CN110312932A
代理机构：	北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人：	张娜;李荣胜
分类号：	G01N27/414(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	英国伦敦
主权项：	1.一种像素阵列，其中每个像素包括： CHEMFET传感器；以及 Σ-ΔADC。 2.根据权利要求1所述的像素阵列，其中所述CHEMFET传感器是离子感应场效应晶体管传感器。 3.根据权利要求1或2所述的像素阵列，其中，所述Σ-ΔADC是单端一阶Σ-ΔADC。 4.根据权利要求1至3中任一项所述的阵列，其中，每个像素还包括偏置控制。 5.根据权利要求1至4中任一项所述的阵列，其中，每个像素具有100μm x 100μm范围的面积。 6.根据权利要求1至5中任一项所述的阵列，其中，所述阵列包括4000个像素的区域。 7.根据权利要求1至6中任一项所述的阵列，其中，每个像素还包括开关，其被配置为控制来自该像素的数据流。 8.一种芯片，包括：根据权利要求2至7中任一项所述的像素阵列，以及时钟装置，其包括：第一时钟信号，其对于所述阵列中的所有像素是共用的，所述第一时钟信号用于对ISFET信号进行采样；以及第二时钟信号，其跨越所述阵列顺序地提供，所述第二时钟信号用于转换信号。 9.根据权利要求8所述的芯片，还包括用于每个像素的控制信号，其使得每个像素内的离子感应场效应晶体管和ADC能够仅在需要时接通。 10.一种装置，包括孔阵列，每个孔配置成接收生物物质或化学物质，其中所述孔阵列设置在根据权利要求8或权利要求9所述的芯片上。 11.根据权利要求10所述的装置，其中每个孔覆盖多于一个像素。
所属类别：	发明专利