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离子敏感场效应晶体管及其制备方法
| 专利名称： | 离子敏感场效应晶体管及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明提供了一种离子敏感场效应晶体管，包括：衬底；紧贴所述衬底的上表面向内构建有漏极和源极，所述漏极沿上表面方向包覆源极，且源极和漏极之间互不接触；和/或源极沿上表面方向包覆漏极，且源极和漏极之间互不接触；所述外延层在源极和漏极之间的部分设置为栅极，所述栅极的截面呈U型；外延层，位于所述衬底上方。本发明的ISFET器件具有U型栅结构，增大了栅极与待测溶液的接触面积，使ISFET器件对溶液反应更灵敏。同时，本发明还提供了一种离子敏感场效应晶体管的制备方法，其工艺流程简单，并且与标准CMOS工艺兼容。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 发明人： | 呼红阳;毕津顺;习凯 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201710530807.X |
| 公开号： | CN109211897A |
| 代理机构： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
| 代理人： | 任岩 |
| 分类号： | G01N21/80(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |
| 主权项： | 1.一种离子敏感场效应晶体管，包括：衬底；紧贴所述衬底的上表面向内构建有漏极和源极，所述漏极沿上表面方向包覆源极，且源极和漏极之间互不接触；和/或源极沿上表面方向包覆漏极，且源极和漏极之间互不接触；所述外延层在源极和漏极之间的部分设置为栅极，所述栅极的截面呈U型；以及外延层，位于所述衬底上方。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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